[实用新型]一种多晶硅还原炉喷气嘴有效
申请号: | 201721414094.2 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN207361798U | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 吕献涛;杨红兵 | 申请(专利权)人: | 河南恒星新材料有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 郑州大通专利商标代理有限公司 41111 | 代理人: | 陈大通 |
地址: | 471943 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 还原 喷气 | ||
本实用新型属于多晶硅生产技术领域,具体的说是涉及一种多晶硅还原炉喷气嘴,主要是为了提供一种多晶硅还原炉喷气嘴结构,有效的提高多晶硅还原炉在喷射混合气体过程中的喷射效率,提高了一种多晶硅还原炉喷气嘴,该多晶硅还原炉喷气嘴主要由喷气底座、中间套管和喷气板组成;在喷气底座的中心设置有进气口,在中间套管的内部设置有与进气口相连通的射流喷射口,喷气板采用圆盘型结构设置,在喷气板上还开设有与射流喷射口相连通的喷气口,该结构设置的多晶硅还原炉喷气嘴,有效的提高了多晶硅还原炉在喷射混合气体过程中的喷射效率,同时也有效的节约了企业的生产资源,降低了企业的生产成本,提高了企业的经济效益。
技术领域
本实用新型属于多晶硅生产技术领域;具体的说是涉及一种多晶硅还原炉喷气嘴。
背景技术
多晶硅属于单质硅的一种形态;其在高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用;具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料;多晶硅又是生产单晶硅的直接原料,是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料;多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法,西门子法则主要通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅,硅芯作为改良西门子法工艺生产多晶硅,还原炉内多晶硅料沉积的载体,它的表面洁净程度直接影响到多晶硅成品的品质;在西门子法工艺生产多晶硅的过程中,其设备主要为还原炉设备,其通过通电高温硅芯将三氯氢硅与氢气的混合气体反应,生成多晶硅并沉积在硅芯上,最终获得沉积在硅芯上的多晶硅,但是通常使用的多晶硅还原炉喷气嘴结构单一,喷射混合气体的效率低,且在喷射气体的过程中由于喷头设备内部沿程阻力的影响,喷射的气体并不能很好的与高温硅芯反应,也给企业带来了生产资源的浪费。
发明内容
本实用新型的发明目的:
主要是为了提供一种多晶硅还原炉喷气嘴结构,有效的提高多晶硅还原炉在喷射混合气体过程中的喷射效率,提高多晶硅的生产产量,同时也有效的节约了企业的生产资源,降低了企业的生产成本,提高了企业的经济效益。
本实用新型的技术方案为:
提高了一种多晶硅还原炉喷气嘴,该多晶硅还原炉喷气嘴主要由喷气底座、中间套管和喷气板组成;在喷气底座的中心设置有进气口,在喷气底座的上部设置有半径大于喷气口的连接口一,在连接口一的内侧设置有连接螺纹一,在中间套管的下部设置有与连接螺纹一相匹配的连接螺纹二,中间套管与喷气底座之间通过连接螺纹一和连接螺纹二相互旋合连接;在中间套管的内部设置有与进气口相连通的射流喷射口,在中间套管的上部还设置有连接口二,在连接口二的内侧设置有连接螺纹三;喷气板采用圆盘型结构设置,在喷气板的外圆上设置有与连接螺纹三相匹配的连接螺纹四,喷气板和中间套管之间通过连接螺纹四和连接螺纹三相互旋合连接;在喷气板上还开设有与射流喷射口相连通的喷气口。
所述的射流喷射口主要由收缩段、过渡段和喷射段组成。
所述的喷气口主要由外层喷气口和内层喷气口组成,且外层喷气口和内层喷气口之间交错设置。
所述的外层喷气口和内层喷气口均沿喷气盘圆周设置为10个。
所述的射流喷射口的收缩段的管径沿射流方向逐渐减小,喷射段的管径沿射流方向逐渐增大,过渡段的管径沿射流方向保持不变。
本实用新型的有益效果是:
该结构设置的多晶硅还原炉喷气嘴,有效的提高了多晶硅还原炉在喷射混合气体过程中的喷射效率,提高了多晶硅的生产产量,同时也有效的节约了企业的生产资源,降低了企业的生产成本,提高了企业的经济效益。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的喷气板的结构示意图。
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