[实用新型]双面湿法黑硅硅片

说明书

本实用新型涉及一种双面湿法黑硅硅片。上述双面湿法黑硅硅片包括硅片本体，硅片本体包括相对的第一制绒面和第二制绒面；第一制绒面和第二制绒面上均布有若干个虫洞；虫洞的直径为200nm～1000nm，虫洞的深度为50nm～800nm。上述双面湿法黑硅硅片包括硅片本体，硅片本体包括相对的第一制绒面和第二制绒面。当虫洞的直径为200nm～1000nm，虫洞的深度为50nm～800nm时，光线照射入虫洞之后，能够在上述尺寸的虫洞的孔壁上经过多次反射，之后大部分光线能够被吸收。从而提高减反射效果，有利于广泛应用。

技术领域

本实用新型涉及硅片技术领域，特别是涉及一种双面湿法黑硅硅片。

背景技术

黑硅技术由于陷光效果好、能大幅提升多晶硅片的转化效率、并能解决金刚线切多晶硅片的绒面难题，广受多晶电池厂家的青睐。然而，传统的制绒之后得到的湿法黑硅硅片的绒面的减反射效果有待进一步提高，以利于广泛应用。

实用新型内容

基于此，本实用新型提供一种提高减反射效果的双面湿法黑硅硅片。

一种双面湿法黑硅硅片，包括硅片本体，所述硅片本体包括相对的第一制绒面和第二制绒面；所述第一制绒面和所述第二制绒面上均布有若干个虫洞；所述虫洞的直径为200nm～1000nm，所述虫洞的深度为50nm～800nm。

上述双面湿法黑硅硅片包括硅片本体，硅片本体包括相对的第一制绒面和第二制绒面。当虫洞的直径为200nm～1000nm，虫洞的深度为50nm～800nm时，光线照射入虫洞之后，能够在上述尺寸的虫洞的孔壁上经过多次反射，之后大部分光线能够被吸收。从而提高减反射效果，有利于广泛应用。

在其中一个实施例中，所述硅片本体的厚度为150μm～200μm。

在其中一个实施例中，所述硅片本体的厚度为150μm、160μm、170μm、180μm、190μm和200μm。

在其中一个实施例中，所述第一制绒面的反射率为8％～25％。

在其中一个实施例中，所述第二制绒面的反射率为8％～25％。

在其中一个实施例中，所述虫洞的直径为500nm。

在其中一个实施例中，所述虫洞的深度为200nm～400nm。

在其中一个实施例中，所述硅片本体为正方形，所述正方形硅片本体的边长为156.00mm、156.75mm、157.75mm、158.00mm或160.00mm。

附图说明

图1为一实施方式的双面湿法黑硅硅片的侧面示意图；

图2为图1的局部放大图；

图3为实施例1制备的双面湿法黑硅硅片的形貌图；

图4为实施例1制备的双面湿法黑硅硅片制绒面的扫描电镜(SEM)图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型。但是本实用新型能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本实用新型内涵的情况下做类似改进，因此本实用新型不受下面公开的具体实施例的限制。

请参见图1和图2，一实施方式的双面湿法黑硅硅片100包括硅片本体110。硅片本体110包括相对的第一制绒面120和第二制绒面130。第一制绒面120和第二制绒面130上均布有若干个虫洞121。虫洞121的直径d为200nm～1000nm，虫洞121的深度h为50nm～800nm。