[实用新型]一种基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板

权利要求书

1.一种基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板，包括复合板层、上导体层、下导体层，所述复合板层位于中间，所述上导体层形成有上导电图形，所述下导体层成有下导电图形，所述上导体层和下导体层分别位于复合板层的上下两侧；

其特征在于：所述复合板层包括上复合材料层、下复合材料层、上散热层以及下散热层，所述上复合材料层叠设在下复合材料层上，上散热层设于上复合材料层之上，所述下散热层设于下复合材料层之下；

所述上复合材料层包括上聚合物基体、若干上纳米管束以及上催化层，所有上纳米管束间隔排列在上聚合物基体中，所述上催化层设置于所有上纳米管束和上导体层之间，所有上纳米管束的上端均穿过上散热层与上导电图形电连接；所述下复合材料层包括下聚合物基体、若干下纳米管束以及下催化层，所有下纳米管束间隔排列在下聚合物基体中，所述下催化层设置于所有下纳米管束和下导体层之间，所有下纳米管束的上端均穿过下散热层与下导电图形电连接；所述上纳米管束的下端与对应的下纳米管束的上端连接。

2.根据权利要求1所述的基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板，其特征在于：所述纳米管束采用Cds-SiO2纳米管束。

3.根据权利要求1所述的基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板，其特征在于：所有上纳米管束在上聚合物基体中沿水平方向均匀间隔布置。

4.根据权利要求3所述的基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板，其特征在于：所有下纳米管束在下聚合物基体中沿水平方向均匀间隔布置。

5.根据权利要求1所述的基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板，其特征在于：所述上散热层为上中空立体结构，在该上中空立体结构表面开设有若干贯穿上散热层上下表面的散热通孔，在散热通孔中填充有散热硅胶。

6.根据权利要求1所述的基于Cds-SiO2纳米复合板的多层电路板，其特征在于：所述下散热层为下中空立体结构，在该下中空立体结构表面开设有若干贯穿下散热层上下表面的散热通孔，在散热通孔中填充有散热硅胶。