[实用新型]一种二阶质子转移反应离子源装置

权利要求书

1.一种二阶质子转移反应离子源装置，其特征在于：包括

漂移管，其前端设有电离源区，漂移管设有三段腔体，靠近电离源区的腔体部分设有一阶质子转移反应区(8)，一阶质子转移反应区(8)的后侧的腔体部分设有离子偏转区(9)，离子偏转区(9)的下侧腔体部分设有二阶质子转移反应区(10)；一阶质子转移反应区(8)的前侧设有伸入漂移管内腔的第一引入管(3)，二阶质子转移反应区(10)的上侧设有伸入漂移管内腔的第二引入管(4)。

2.根据权利要求1所述的二阶质子转移反应离子源装置，其特征在于：所述电离源区包括空心阴极放电区(1)和置于空心阴极放电区(1)后侧的短流动管区(2)；空心阴极放电区(1)与水蒸气源连通，短流动管区(2)与机械泵(11)连通。

3.根据权利要求2所述的二阶质子转移反应离子源装置，其特征在于：所述一阶质子转移反应区(8)的末端和二阶质子转移反应区(10)的末端均设有引出电极。

4.根据权利要求3所述的二阶质子转移反应离子源装置，其特征在于：所述离子偏转区(9)的左端设有引入电极，下端设有引出电极；离子偏转区(9)通过设于其上端的LF法兰接口(7)与分子泵连接，离子偏转区(9)的内部设有四个呈矩阵分布的扇形偏转电极(6)。

5.根据权利要求4所述的二阶质子转移反应离子源装置，其特征在于：所述漂移管的末端设有质量检测区(5)，质量检测区(5)与漂移管之间设有分子泵。

6.根据权利要求5所述的二阶质子转移反应离子源装置，其特征在于：所述质量检测区(5)包括四极杆质量分析器。

7.根据权利要求6所述的二阶质子转移反应离子源装置，其特征在于：所述电离源区与所述漂移管的连接部分、漂移管与所述质量检测区(5)连接部分以及漂移管内部的三段腔体之间的连接部分均置于电场内。