[实用新型]显示面板及显示装置有效
申请号: | 201721431753.3 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN207409492U | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 孙艳六 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06K9/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 杨广宇 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自发光器件 显示面板 光学传感器 衬底基板 光学感应 模组 本实用新型 导电走线 显示装置 遮光图案 非发光区域 依次设置 指纹识别 电连接 正投影 开孔 | ||
本实用新型公开了一种显示面板及显示装置,属于显示技术领域。所述显示面板包括:衬底基板,以及沿远离所述衬底基板的方向依次设置在所述衬底基板上的自发光器件、导电走线和多个光学感应模组;其中,每个所述光学感应模组中包括光学传感器和设置在所述光学传感器远离所述自发光器件一侧的遮光图案,所述遮光图案上设置有开孔,每个所述光学感应模组在所述自发光器件上的正投影均位于所述自发光器件上的非发光区域内,所述导电走线与所述光学传感器电连接。本实用新型解决了相关技术中显示面板上的指纹识别的可靠性较低的问题。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的快速发展,目前已实现了在自发光的显示面板的显示区域内全屏指纹识别的功能,自发光的显示面板可以为有机发光二极管(英文:Organic Light-Emitting Diode;简称:OLED)显示面板等。自发光的显示面板可以包括薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor;简称:TFT)和自发光器件,其中,自发光器件可以包括依次层叠设置的阳极、发光层和阴极等。
相关技术中,在显示面板的显示区域内实现全屏指纹识别的方法包括:将光学传感器设置在TFT中,且光学传感器在自发光器件上的正投影位于自发光器件上的非发光区域内,并在自发光器件中与光学传感器对应的位置设置开孔,使得由指纹反射的光信号能够经过自发光器件上的开孔到达光学传感器,再由与光学传感器连接的处理组件进行指纹配对分析等后续处理,以实现指纹识别。
但是相关技术中,一方面,指纹反射的光信号在经过自发光器件中的阴极和阳极时,会损失一部分光能,导致到达光学传感器上的指纹反射的光信号较弱;另一方面,由于自发光器件会向TFT方向发光,从自发光器件发出的光线直接照射到光学传感器上会导致光学传感器的过度曝光,从而对光学传感器造成较大的干扰,因此相关技术中的显示面板上的指纹识别的可靠性较低。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种显示面板及显示装置,可以解决相关技术中显示面板上的指纹识别的可靠性较低的问题。所述技术方案如下:
第一方面,提供了一种显示面板,所述显示面板包括:
衬底基板,以及沿远离所述衬底基板的方向依次设置在所述衬底基板上的自发光器件、导电走线和多个光学感应模组;
其中,每个所述光学感应模组中包括光学传感器和设置在所述光学传感器远离所述自发光器件一侧的遮光图案,所述遮光图案上设置有开孔,每个所述光学感应模组在所述自发光器件上的正投影均位于所述自发光器件上的非发光区域内,所述导电走线与所述光学传感器电连接。
可选的,所述开孔的尺寸与所述遮光图案的厚度正相关。
可选的,所述开孔为圆形开孔,
所述遮光图案的厚度与所述开孔的直径的比值大于8。
可选的,所述导电走线在所述自发光器件上的正投影位于所述非发光区域内,每个所述光学传感器通过所述导电走线与显示装置中的处理组件连接;
所述处理组件用于根据所述光学传感器传输的电信号识别指纹纹路,所述电信号是所述光学传感器接收到经由指纹纹路反射的光信号后产生的。
可选的,所述导电走线为金属走线。
可选的,所述光学传感器包括沿远离所述自发光器件方向依次设置的第一电极、电子注入层、电流产生层、空穴注入层和第二电极;
其中,所述第一电极为非透明电极,所述第二电极为透明电极。
可选的,所述显示面板中还包括薄膜晶体管TFT,所述TFT设置在所述自发光器件远离所述衬底基板的一侧,所述TFT与所述光学传感器电连接,所述TFT的沟道区域靠近所述衬底基板的一面上设置有遮光材料;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的