[实用新型]用于测试的光伏组件有效
申请号: | 201721437039.5 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN207265073U | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 彭福国;段军 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049;H02S50/10 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人: | 周放,解立艳 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测试 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种用于测试的光伏组件。
背景技术
太阳能电池随着使用时间的变长以及环境影响会发生衰减,因此,太阳能电池片需要进行衰减实验测试,从而不断提高太阳能电池片抗衰减的性能。现有衰减实验测试,一般是将太阳能电池片放置在光照或高能量离子辐射的条件下进行测试其衰减情况,但由于测试过程中外界环境因素的影响,比如潮湿的空气、强风、杂质等会对太阳能电池片的性能造成影响,进而导致无法准确获得太阳能电池片的衰减情况。因此,需要研究一种减少外界环境对太阳能电池片影响的封装结构,且该封装结构需要容易拆卸,以便于取出太阳能电池片,或在测试过程中便于进行其他实验。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种用于测试的光伏组件,以解决上述现有技术中的问题,实现太阳能电池片在衰减测试中的密封。
本实用新型提供了一种用于测试的光伏组件,其中,包括:
背板;
设置在所述背板上的太阳能电池芯片层;
玻璃盖板,所述玻璃盖板压设在所述太阳能电池芯片层上远离所述背板的一侧;
环绕设置在所述太阳能电池芯片层侧围的第一阻止层;
环绕设置在所述第一阻止层侧围的热熔胶膜;
环绕设置在所述热熔胶膜侧围的第二阻止层;
所述第一阻止层、所述热熔胶膜和所述第二阻止层均固定设置在所述背板和所述玻璃盖板之间。
如上所述的用于测试的光伏组件,其中,优选的是,还包括隔离纸,所述隔离纸设置在所述太阳能电池芯片层和所述背板之间,且所述隔离纸的边缘与所述第一阻止层之间保持有距离。
如上所述的用于测试的光伏组件,其中,优选的是,所述隔离纸的厚度范围值为0.05mm~1mm,所述热熔胶膜的厚度范围值为0.1mm~0.6mm,所述第一阻止层和所述第二阻止层的厚度范围值均为0.1mm~0.55mm。
如上所述的用于测试的光伏组件,其中,优选的是,所述玻璃盖板的厚度范围值为1mm~5mm。
如上所述的用于测试的光伏组件,其中,优选的是,所述第一阻止层为丁基胶。
如上所述的用于测试的光伏组件,其中,优选的是,所述第二阻止层为丁基胶。
如上所述的用于测试的光伏组件,其中,优选的是,所述热熔胶膜的材质为EVA、DNP、PVB或POE中的一种或两种以上的组合。
如上所述的用于测试的光伏组件,其中,优选的是,所述太阳能电池芯片层的边缘到所述第一阻止层上靠近所述太阳能电池芯片层一侧的边缘的距离范围值为10mm~200mm。
如上所述的用于测试的光伏组件,其中,优选的是,所述第一阻止层和所述第二阻止层的宽度范围值均为5mm~20mm。
如上所述的用于测试的光伏组件,其中,优选的是,所述第一阻止层的边缘和所述第二阻止层的对应的边缘之间的距离范围值为10mm~200mm。
本实用新型提供的用于测试的光伏组件,通过热熔胶膜、第一阻止层和第二阻止层实现了对太阳能电池芯片层四周的密封,通过玻璃盖板和背板实现了太阳能电池芯片层上下两侧的密封,由此,最终实现了对太阳能电池芯片层整体的密封,从而有效防止了太阳能电池芯片层在衰减测试过程中受外界因素的干扰,保证了测试结果的可靠性。为了将测试衰减实验后的电池片取出用于后续电池片的实验,只须沿着本申请的光伏组件沿着电池芯片层边缘切开即可取出电池芯片层,又因电池芯片层边缘与第一阻止层上靠近所述太阳能电池芯片层一侧的边缘的距离范围值为10mm~200mm,避免了切开后的电池芯片层粘接有第一阻止层,不用额外处理电池芯片层即可进行后续其他实验。
附图说明
图1为本实用新型实施例提供的用于测试的光伏组件的主视图;
图2为本实用新型实施例提供的用于测试的光伏组件的俯视图。
附图标记说明:
100-背板200-玻璃盖板300-太阳能电池芯片层
400-热熔胶膜500-第一阻止层600-第二阻止层
700-隔离纸L-距离M-距离
具体实施方式
下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能解释为对本实用新型的限制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的