[实用新型]转移探针和二维异质结的制备系统有效
| 申请号： | 201721443001.9 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN207676899U | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 戴俊峰;赵悦 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/04 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 潘霞 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二维 探针 异质结 转移层 制备系统 提取层 衬底 聚甲基丙烯酸甲酯层 本实用新型 弹性缓冲层 碳酸亚丙酯 异质结器件 玻璃 氮化硼层 依次层叠 平整度 平整性 透明的 自聚 保证 | ||
1.一种转移探针，其特征在于，包括玻璃衬底、透明的弹性缓冲层、提取层及转移层，所述弹性缓冲层层叠在所述玻璃衬底上，所述提取层层叠在所述弹性缓冲层上，所述转移层层叠在所述提取层上，所述提取层选自聚碳酸亚丙酯层及聚甲基丙烯酸甲酯层中的一种，所述转移层为氮化硼层。
2.根据权利要求1所述的转移探针，其特征在于，所述弹性缓冲层的厚度为0.5mm～5mm。
3.根据权利要求1所述的转移探针，其特征在于，所述弹性缓冲层为硅橡胶层。
4.根据权利要求1所述的转移探针，其特征在于，所述转移层的厚度为1nm～20nm。
5.根据权利要求1所述的转移探针，其特征在于，还包括透明胶带，所述透明胶带层叠在所述弹性缓冲层和所述提取层之间。
6.一种二维异质结的制备系统，其特征在于，包括转移平台、载物台、权利要求1～5任意一项所述的转移探针及显微镜成像组件，所述转移平台和所述载物台均能够在水平方向上移动，且所述转移平台和所述载物台均能够在竖直方向上伸缩，所述载物台能够承载样品，所述转移探针能够固定在所述转移平台上，所述显微镜成像组件能够对所述载物台上的所述样品进行成像，其中，所述转移平台和所述载物台中的至少一个伸缩而使所述转移探针的转移层远离所述提取层的一侧能够与所述样品接触。
7.根据权利要求6所述的二维异质结的制备系统，其特征在于，所述显微镜成像组件包括显微镜，所述显微镜为长焦距显微镜。
8.根据权利要求6所述的二维异质结的制备系统，其特征在于，还包括减震平台，所述转移平台、所述载物台及所述显微镜成像组件均安装在所述减震平台上。
9.根据权利要求6所述的二维异质结的制备系统，其特征在于，还包括加热台，所述加热台位于所述载物台上，所述加热台能够承载所述样品。
10.根据权利要求6所述的二维异质结的制备系统，其特征在于，还包括手套箱，所述载物台、所述转移平台、所述转移探针及所述显微镜成像组件均收容于所述手套箱中。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
