[实用新型]一种精确控制轴向温梯的碳化硅单晶生长装置

权利要求书

1.一种精确控制轴向温梯的碳化硅单晶生长装置，包括石墨坩埚(1)、石墨盖(2)、石墨软毡保温层(3)和感应加热装置(4)，所述石墨盖(2)位于石墨坩埚(1)顶部封闭所述石墨坩埚(1)，所述石墨盖(2)内侧中心突出区域粘合有籽晶片(5)，所述石墨软毡保温层(3)包覆所述石墨坩埚(1)的周围、顶部、底部，其特征在于：所述感应加热装置(4)围绕所述石墨软毡保温层(3)设置，所述感应加热装置(4)包括上部感应线圈(41)和下部感应线圈(42)两组，所述石墨盖(2)的顶部中心和石墨坩埚(1)的底部中心处分别架设有红外线测温器(6)。

2.根据权利要求1所述的一种精确控制轴向温梯的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述石墨坩埚(1)内放置有纯度5N-6N的碳化硅粉末(7)。

3.根据权利要求1所述的一种精确控制轴向温梯的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述石墨盖(2)内侧中心突出区域为圆柱形，其突起高度为所述石墨盖(2)的0.5-1.5倍，直径为所述石墨盖(2)的0.3-0.6倍。

4.根据权利要求1所述的一种精确控制轴向温梯的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述上部感应线圈(41)和下部感应线圈(42)分别配置有可独立控制的变压器、电控与加热系统。

5.根据权利要求1所述的一种精确控制轴向温梯的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述感应加热装置(4)的加热方式以下部感应线圈(42)加热为主，所述上部感应线圈(41)和下部感应线圈(42)的功率控制比例为0:10-3:7。

6.根据权利要求1所述的一种精确控制轴向温梯的碳化硅单晶生长装置，其特征在于：所述石墨软毡保温层(3)的顶部和底部对应所述红外线测温器(6)预设有通孔(8)。