[实用新型]一种生长碳化硅单晶的精密控制温度装置有效
| 申请号： | 201721446601.0 | 申请日： | 2017-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN207376143U | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 廖弘基 | 申请（专利权）人： | 福建北电新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362211 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 生长 碳化硅 精密 控制 温度 装置 | ||
1.一种生长碳化硅单晶的精密控制温度装置，包括腔体(1)和设于腔体内的石墨坩埚(2)、石墨盖(3)、石墨软毡保温层(4)、感应线圈(5)，所述石墨盖(3)位于石墨坩埚(2)顶部封闭所述石墨坩埚(2)，所述石墨盖(3)内侧中心区域粘合有籽晶片(6)，所述石墨软毡保温层(4)包覆所述石墨坩埚(2)的周围、顶部、底部，所述感应线圈(5)围绕所述石墨软毡保温层(4)设置，其特征在于：所述石墨坩埚(2)固定放置在底部支柱(7)上，所述石墨软毡保温层(4)与感应线圈(5)之间套设有一石英筒(8)，所述腔体(1)中心上方架设有红外线高温计(9)，所述石墨盖(3)顶部的石墨软毡保温层(4)中心对应所述红外线高温计(9)开设有测量孔(10)，所述石墨软毡保温层(4)顶部中心两侧对称开设有安装口(11)，所述安装口(11)分别装载有从腔体(1)上方伸入的热电偶(12)。
2.根据权利要求1所述的一种生长碳化硅单晶的精密控制温度装置，其特征在于：所述石墨坩埚(2)和石墨盖(3)的厚度为5-20mm。
3.根据权利要求1所述的一种生长碳化硅单晶的精密控制温度装置，其特征在于：所述石墨坩埚(2)内放置有纯度5N-6N的碳化硅粉末(13)。
4.根据权利要求1所述的一种生长碳化硅单晶的精密控制温度装置，其特征在于：所述安装口(11)的直径为5-10mm，深度为所述石墨软毡保温层(4)的一半厚度。
5.根据权利要求1所述的一种生长碳化硅单晶的精密控制温度装置，其特征在于：所述两只热电偶(12)的距离为石墨坩埚(2)直径的1/2-4/5，所述热电偶(12)包覆有陶瓷保护外壳。
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