[实用新型]具有孔洞图形的半导体结构

说明书

本实用新型提供一种具有孔洞图形的半导体结构，包括：半导体基底；正性光刻胶层，形成于半导体基底上，光刻胶层具有第一曝光区，包括间隔排布的第一曝光单元及位于相邻第一曝光单元之间且顺着第一方向延伸的第一非曝光单元，光刻胶层还具有第二曝光区，重迭于第一曝光区，包括间隔排布的第二曝光单元及位于相邻第二曝光单元之间且顺着第二方向延伸的第二非曝光单元；第二非曝光单元与第一非曝光单元形成至少一个非曝光相交叉区域，用于以负性显影方式被去除以形成孔洞图形。本实用新型的孔洞图形的形成方法基于负型显影技术并结合双重曝光技术，降低制作门槛的难度，简化了工艺流程，降低成本，可以得到任意需要排布的孔洞，适于不同的器件结构。

技术领域

本实用新型属于集成电路制备技术领域，特别是涉及一种具有孔洞图形的半导体结构。

背景技术

在半导体器件制备领域，各种存储器，如动态随机存储器(DRAM)的制备过程中，很多地方需要制备在器件结构中形成通孔，通孔的形成以及形成质量与掩膜层息息相关，因此，形成掩膜层的工艺在器件制备中至关重要。

目前，具有孔洞图形的掩膜，如光刻区光掩膜的制作中，往往采用的方式包括经由光掩膜图形直接曝光形成孔洞图形，以及经由二次制程微缩(double pitch)的方式集成为孔洞，也即以两个方向的线去夹出孔洞，对于这两种工艺，光掩膜直接曝成孔洞的方式中，单一正型显影/光刻胶所使用的光掩膜，相对工艺成本以及制作门槛难易度比负型显影所使用光掩膜较高，对于double pitch方式集成孔洞的方式，所需的制程工艺相对繁复且时间材料成本高(需要10多个制程工艺流程)。

因此，如何提供一种孔洞图形的形成方法及具有孔洞图形的半导体结构，以解决现有技术中的上述问题实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种具有孔洞图形的半导体结构，用于解决现有技术中孔洞图形形成成本及制作门槛高以及制程工艺繁复且周期长等的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种孔洞图形的形成方法，包括如下步骤：

1)提供一半导体基底，并于所述半导体基底上形成一层正性的光刻胶层；

2)采用第一掩膜版对所述光刻胶层进行第一次曝光，以在所述光刻胶内层形成第一曝光区，所述第一曝光区包括间隔排布的第一曝光单元以及位于相邻所述第一曝光单元之间且顺着第一方向延伸的第一非曝光单元；

3)采用第二掩膜版对所述光刻胶层进行第二次曝光，以在所述光刻胶层内形成第二曝光区，重迭于所述第一曝光区，所述第二曝光区包括间隔排布的第二曝光单元以及位于相邻所述第二曝光单元之间且顺着第二方向延伸的第二非曝光单元，其中，所述第二非曝光单元与所述第一非曝光单元形成至少一个非曝光相交叉区域，所述相交叉区域形成孔洞区域；以及

4)使用负性显影方式去除所述孔洞区域对应的所述光刻胶层，以得到具有孔洞图形的光刻胶层。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第一非曝光单元的延伸方向与一X轴设定方向之间具有第一倾角，所述第二非曝光单元的延伸方向与所述设定方向具有第二倾角，所述第一倾角与所述第二倾角相对于所述设定方向分别形成有逆顺时钟不同方向的锐角旋转角度。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第一非曝光单元相互平行且等间距排布，所述第二非曝光单元相互平行且等间距排布。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第一方向为Y轴直列方向，所述第二方向为X轴横行方向，使所述第一非曝光单元与所述第二非曝光单元相垂直。

作为本实用新型的一种优选方案，相交叉的所述第一非曝光单元与所述第二非曝光单元之间的夹角介于15°～90°之间。

作为本实用新型的一种优选方案，所述第一非曝光单元的宽度为38～60nm，所述第二非曝光单元的宽度为38～60nm。