[实用新型]无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路、芯片有效

专利信息
申请号: 201721448627.9 申请日: 2017-11-02
公开(公告)号: CN207337259U 公开(公告)日: 2018-05-08
发明(设计)人: 聂海;王银 申请(专利权)人: 成都市海芯微纳电子科技有限公司;成都信息工程大学
主分类号: G05F1/575 分类号: G05F1/575
代理公司: 成都天汇致远知识产权代理事务所(普通合伙) 51264 代理人: 韩晓银
地址: 610093 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 无运放 bjt 温度 系数 基准 电路 芯片
【权利要求书】:

1.一种无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路,其特征在于,包括依次连接的启动电路单元、反馈回路单元、微电流源单元、带隙基准单元;

所述启动电路单元采用稳压二极管结构,作为带隙基准源电路的输入级;

所述反馈回路单元采用NPN管作为反馈回路,用于将输出电压反馈到所述微电流源单元的电流输入端;

所述微电流源单元采用三极管的比例电流镜结构,用于将输出电流输入到所述带隙基准单元的输入端;

所述带隙基准单元采用NPN管对所述输出电流进行处理,所述带隙基准单元输出所述输出电压。

2.根据权利要求1所述的无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路,其特征在于,所述启动电路单元还包括调节电阻和NPN管。

3.根据权利要求2所述的无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路,其特征在于,所述反馈回路单元还包括多个调节电阻。

4.根据权利要求3所述的无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路,其特征在于,所述比例电流镜包括四个PNP管和两个比例电阻。

5.根据权利要求4所述的无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路,其特征在于,所述带隙基准单元还包括稳压二极管。

6.一种芯片,包括芯片本体和权利要求1至5任意一项所述的无运放的BJT低温度系数带隙基准源电路。

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