[实用新型]单晶硅上料装置有效

专利信息
申请号: 201721459505.X 申请日: 2017-11-06
公开(公告)号: CN207567377U 公开(公告)日: 2018-07-03
发明(设计)人: 朱汪龙;朱玲 申请(专利权)人: 无锡乐东微电子有限公司
主分类号: C30B15/02 分类号: C30B15/02;C30B29/06
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 张惠忠
地址: 214000 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 单晶硅 连接管 储料罐 电磁阀 真空室 下端 本实用新型 气压传感器 抽气装置 上料装置 预热腔室 抽气管 制备 第一电磁阀 控制器连接 事故发生 控制器 送料管 料管 室内
【权利要求书】:

1.一种单晶硅上料装置,其特征在于:包括储料罐,储料罐下端通过第一连接管连接预热腔室,第一连接管上设有第一电磁阀、预热腔室下端通过第二连接管连接真空室,真空室内设有气压传感器,真空室一侧设有抽气管,抽气管连接抽气装置,第二连接管上设有第二电磁阀,真空室下端连接送料管,送料管上设有第三电磁阀,储料罐外侧设有控制器,气压传感器、抽气装置、第三电磁阀均分别与控制器连接。

2.按照权利要求1所述的单晶硅上料装置,其特征在于:所述送料管两侧设有用于固定送料管的固定装置,固定装置与送料管滑动连接。

3.按照权利要求1所述的单晶硅上料装置,其特征在于:所述预热腔室内壁、第二连接管内壁、真空室内壁、送料管内壁均设有保温层。

4.按照权利要求1所述的单晶硅上料装置,其特征在于:所述控制器为单片机。

5.按照权利要求1所述的单晶硅上料装置,其特征在于:所述预热腔室呈椭圆状。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡乐东微电子有限公司,未经无锡乐东微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721459505.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top