[实用新型]一种制备铜铟镓硒化合物的装置有效
申请号: | 201721463168.1 | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN207398068U | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 陈腾 | 申请(专利权)人: | 北京汉能薄膜发电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 铜铟镓硒 化合物 装置 | ||
本实用新型公开一种制备铜铟镓硒化合物的装置,所述装置包括L型石英管(1),高温合成区(3)、低温蒸发区(2),加热装置(5),封泡(4),其中:所述高温合成区(3)和低温蒸发区(2)分别设置在L型石英管(1)的两端;所述加热装置(5)间隔设置在L型石英管(1)的周围,用于对L型石英管(1)加热,并形成梯度温度;所述L型石英管一端封闭,另一端开放并设置有缩口,通过封泡(4)进行密封。利用本实用新型的装置制备的铜铟镓硒合金工艺流程简单,成分均匀,易于控制。
技术领域
本发明涉及一种合金制备反应装置,具体涉及一种制备铜铟镓硒化合物的装置。
背景技术
众所周知,CIGS薄膜电池是最具潜力的一种薄膜太阳能电池, 目前产业上制备CIGS的主流方法为共蒸发法和磁控溅射法,基于前两种方法的高真空性,无论从设备还是工艺角度,成本都比较高,因此,类似印刷等非真空低成本制备CIGS的技术被业界不断推动。
当前非真空印刷CIGS涂布浆料或胶体的制备主要有两种方法,第一,采用化学合成方法制备CIGS纳米材料并进一步调制成浆料,但是化学合成CIGS纯度低,制备的CIGS薄膜少子寿命低,因此目前采用该种吸收层的电池效率比较低;第二,采用四种单质粉末或几种二三元化合物粉末调配涂布原材料,这种浆料在成膜进一步反应形成四元化合物时反应难于控制,不充分的反应会造成组分失配,同时,较高的反应温度也易于造成硒组分的大量流失,从而制备的CIGS薄膜质量差。
另外,制备渐变带隙的CIGS薄膜有利于提高薄膜光吸收层的转化效率,而当前印刷制备CIGS薄膜局限于CIGS材料的制备方法,多为单一固定组分CIGS,不利于高效电池的制备。
发明内容
针对上述问题,本发明提供一种能够精准控制CIGS合金成分的铜铟镓硒化合物的制备装置。
为达到上述目的,本发明提供一种制备铜铟镓硒化合物的装置,所述装置包括L型石英管(1),高温合成区(3)、低温蒸发区(2),加热装置(5),封泡(4),其中:
所述高温合成区(3)和低温蒸发区(2)分别设置在L型石英管(1)的两端;
所述加热装置(5)间隔设置在L型石英管(1)的周围,用于对L型石英管(1)加热,并形成梯度温度;
所述L型石英管一端封闭,另一端开放并设置有缩口,通过封泡(4)进行密封。
进一步地,所述高温合成区(3)和低温蒸发区(2)均为石英舟。
进一步地,所述高温合成区(3)和低温蒸发区(2)均为坩埚。
进一步地,所述高温合成区(3)和低温蒸发区(2)均为凹坑,所述凹坑设置在L型石英管(1)上。
进一步地,所述高温合成区(3)位于L型石英管(1)的长边的一端,所述低温蒸发区(2)位于L型石英管(1)的短边的一端。
进一步地,所述L型石英管(1)的长边长度为1100-1600mm,短边长度为400-700mm,L型石英管(1)的直径为60-80mm,所述封泡长度为200mm,直径为50mm。
进一步地,加热装置(5)为电加热线圈,其环绕在L型石英管(1)外表面,并且间隔设置。
进一步地,所述缩口在L型石英管(1)的长边的一端,所述封泡(4)与缩口匹配能够将开口密封。
进一步地,所述石英舟直径为66mm,长为300mm的半管。
通过L型管的设置和温度梯度的设置,避免了Se蒸汽的沉降在管臂上,保证了Se和CuInGa的充分化合反应,由于油墨的铜铟镓硒含量可控,实现了制作不同铟镓比的铜铟镓硒化合物的,制备出的化合物更加均匀,更加可控。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造