[实用新型]一种碳化硅二极管

权利要求书

1.一种碳化硅二极管，包括第一电极以及第二电极，所述第一电极和第二电极之间设置碳化硅基部，所述碳化硅基部包括依次形成的第一导电类型的衬底层、第一导电类型的外延层以及多晶硅层，在所述外延层中靠近多晶硅层的两端边缘处形成第二导电类型的体区，其特征在于，所述多晶硅层的两端设置掺杂多晶硅层，在所述外延层中靠近掺杂多晶硅层的两端边缘处形成第二导电类型的深体区。

2.根据权利要求1所述的碳化硅二极管，其特征在于，所述深体区位于所述体区的中部，述深体区的中心线与所述体区的中心线重合。

3.根据权利要求1所述的碳化硅二极管，其特征在于，所述第一导电类型的衬底层与所述第一导电类型的外延层之间设置第一导电类型的第二外延层。

4.根据权利要求3所述的碳化硅二极管，其特征在于，所述第二外延层在与所述外延层的交界处形成有第二导电类型的第二体区。

5.根据权利要求4所述的碳化硅二极管，其特征在于，所述体区的中心线与所述第二体区的中心线重合。

6.根据权利要求5所述的碳化硅二极管，其特征在于，所述掺杂多晶硅层不与所述第一导电类型的外延层接触，所述掺杂多晶硅层为第二导电类型掺杂多晶硅层。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的碳化硅二极管，其特征在于，所述第一导电类型的衬底层为N型衬底层，所述第一导电类型的外延层为N型外延层，所述第二导电类型的体区为P型体区，所述第二导电类型的深体区为P型深体区，所述第二导电类型的第二体区为P型深体区，以及所述第二导电类型掺杂多晶硅层为P型掺杂多晶硅层。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的碳化硅二极管，其特征在于，所述第一导电类型的衬底层为P型衬底层，所述第一导电类型的外延层为P型外延层，所述第二导电类型的体区为N型体区，所述第二导电类型的深体区为N型深体区，所述第二导电类型的第二体区为N型深体区，以及所述第二导电类型掺杂多晶硅层为N型掺杂多晶硅层。