[实用新型]二极管的封装结构有效
申请号: | 201721466356.X | 申请日: | 2017-11-06 |
公开(公告)号: | CN207458917U | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 马奕俊 | 申请(专利权)人: | 深圳辰达行电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/15 | 分类号: | H01L23/15;H01L23/373;H01L23/31;H01L29/861 |
代理公司: | 常州市华信天成专利代理事务所(普通合伙) 32294 | 代理人: | 肖兴江 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷基座 二极管 封装结构 金属电极 热沉 本实用新型 芯片 通孔 透镜 散热效果 透镜安装 芯片固定 电连接 罩住 印刷 | ||
1.二极管的封装结构,包括陶瓷基座、芯片、导线、透镜,陶瓷基座上印刷有金属电极,其特征在于,还包括热沉,所述陶瓷基座上设置有通孔,所述热沉的至少一部分位于陶瓷基座上的通孔中,所述芯片固定在热沉的位于陶瓷基座中的端部,芯片通过导线与金属电极电连接,透镜安装在陶瓷基座上并罩住芯片以及金属电极的一部分。
2.根据权利要求1所述的二极管的封装结构,其特征在于:所述热沉安装芯片的端部设有盲孔,所述芯片的至少一部分位于该盲孔中。
3.根据权利要求1所述的二极管的封装结构,其特征在于:所述通孔为台阶孔,所述热沉与通孔相适配。
4.根据权利要求1所述的二极管的封装结构,其特征在于:金属电极包括沿基座横向布置的第一电极以及沿基座纵向布置的第二电极,第一电极的一端与第二电极连接,第一电极的另一端延伸到所述通孔的孔口处。
5.根据权利要求1所述的二极管的封装结构,其特征在于:所述透镜设有让位缺口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳辰达行电子有限公司,未经深圳辰达行电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721466356.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种同步随机动态存储器
- 下一篇:半导体封装