[实用新型]主动开关阵列基板和阵列基板有效
| 申请号： | 201721469127.3 | 申请日： | 2017-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN207637799U | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 赵学文 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列基板 绝缘层 源层 主动开关 侧壁 基板 漏极 源极 覆盖 | ||
1.一种主动开关阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
栅极，形成于所述基板上；
第一绝缘层，形成于所述基板上并覆盖所述栅极；
有源层，形成在所述第一绝缘层上；
源极和漏极，形成在所述第一绝缘层上，且分别位于所述有源层的两侧；
第二绝缘层，设置于所述有源层的侧壁与所述源极之间以及所述有源层的侧壁与所述漏极之间。
2.如权利要求1所述的一种主动开关阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述有源层相对地设置在所述第一绝缘层两侧。
3.如权利要求1所述的一种主动开关阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层的上表面为平面。
4.如权利要求1所述的一种主动开关阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层的上表面与所述基板的上表面相互平行。
5.如权利要求1所述的一种主动开关阵列基板，其特征在于，所述有源层的上表面与所述第二绝缘层的上表面齐平，所述有源层的上表面与所述第一绝缘层的上表面相互平行。
6.如权利要求1所述的一种主动开关阵列基板，其特征在于，所述有源层和所述第二绝缘层的接触面与所述基板垂直。
7.如权利要求1所述的一种主动开关阵列基板，其特征在于，所述有源层包括非晶硅沉积于所述第一绝缘层上形成的第一半导体层，以及电子型半导体沉积于所述第一半导体层上形成的第二半导体层。
8.如权利要求7所述的一种主动开关阵列基板，其特征在于，在垂直于所述基板的方向上，所述第二绝缘层的厚度大于所述第一半导体层的厚度。
9.如权利要求7所述的一种主动开关阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层在垂直于所述第一半导体层侧壁方向上的厚度大于所述第一半导体层在垂直于所述基板方向上的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
