[实用新型]晶圆处理设备有效

专利信息
申请号: 201721483399.9 申请日: 2017-11-09
公开(公告)号: CN207338294U 公开(公告)日: 2018-05-08
发明(设计)人: 王大为;林宗贤 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01J37/20 分类号: H01J37/20;H01J37/32;H01L21/687;C23C16/455;C23C16/458
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;董琳
地址: 223300 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 处理 设备
【权利要求书】:

1.一种晶圆处理设备,包括:处理腔室;基台,位于所述处理腔室内,用于放置待处理晶圆;顶针平台,位于所述基台下方;顶针夹持部,固定于所述顶针平台上,用于固定顶针;其特征在于,还包括:

流气装置,包括喷头,所述喷头设置于所述顶针夹持部一侧,用于喷出气体,所述喷头的喷气方向朝向所述顶针夹持部。

2.根据权利要求1所述的晶圆处理设备,其特征在于,包括两个以上顶针夹持部,每个顶针夹持部对应于一个以上的喷头。

3.根据权利要求1所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述喷头与顶针夹持部之间的距离为1cm~5cm。

4.根据权利要求1所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述流气装置还包括气体管路,所述气体管路一端连接至所述喷头,另一端连接至惰性气体源。

5.根据权利要求4所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述喷头设置于与所述顶针夹持部相对的基台表面上,所述气体管路内置于所述基台内。

6.根据权利要求4所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述喷头设置于顶针平台上方或所述处理腔室的侧壁上,所述气体管路设置于所述处理腔室底部。

7.根据权利要求4所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述气体管路包括:总管路与若干支管路,所述总管路一端连接至惰性气体源,另一端通过若干支管路分流至各个喷头。

8.根据权利要求4所述的晶圆处理设备,其特征在于,所述惰性气体源为Ar源。

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