[实用新型]一种低电容双向带负阻TVS器件

说明书

本实用新型公开了一种低电容双向带负阻TVS器件及其制备方法，包括上下叠合的一颗低电容TSS芯片和一颗TVS芯片，所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片上下两面分别与框架焊接在一起，且中间的框架为所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片共用。传统TVS器件抗浪涌能力和芯片版面是正比例关系，无法在得到大浪涌能力的同时得到小的器件电容。本实用新型通过叠片封装的方法，让器件同时兼备大浪涌能力和低电容的特性，并且器件具有封装体积小，成本低，可靠性高的优点。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种带有TSS(Thyristor)，又称为电涌抑制晶闸管的低电容TVS(Transient Voltage Suppressors)器件及其制造方法。

背景技术

随着电子信息技术的发展，半导体器件日趋小型化，高密度和多功能化，尤其是便携式的消费电子产品对主板面积有严格的要求，同时还要求器件响应时间快一满足高速数据线路的传输，又要保证受到多次电压及电流的瞬态干扰后器件不会劣化以保证电子设备应有的品质。

瞬态电压抑制器(TVS)是一种用于电压瞬变和浪涌防护的半导体器件,正可以很好的解决这些问题。它具有箝位系数很小，体积小，响应快,漏电流小，可靠性高等优点。因而在电压瞬变和浪涌的防护上得到广泛应用。对于高频电路的保护，则需要低电容或者超低电容TVS(LCTVS)，以减少寄生电容对电路的干扰,降低高频电路信号的衰减。

TVS浪涌能力随芯片版面的增大而增大，但是随之带来的负面影响就是随着版面的增大电容会越来越大。随着科技的发展我们对低电容，大浪涌，小漏电的TVS器件需求迫在眉睫。为了满足对大浪涌能力，低电容的需求。本实用新型提供了一种使用TVS和TSS串联封装的方法，来保证器件在大浪涌能力(8/20 1KV以上)的情况下整个器件电容小(小于20PF)。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型采用下面的技术方案：

一种带有串联TSS的双向TVS芯片，包括上下叠合的一低电容TSS芯片和一TVS芯片，所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片上下两面分别与框架焊接在一起，且中间的框架为所述低电容TSS芯片和所述TVS芯片共用。

所述的低电容TSS芯片是指芯片电容小于20PF的芯片。

所述TVS器件是电容范围为1-20PF，抗浪涌能力达到1KV以上的TVS器件(8-20波形2Ω内阻测试)。

所述中间的框架可以替换为铜片。

上述带有串联TSS的双向TVS器件的制造方法，其包括：

步骤A：把TVS芯片与下框架用焊料进行粘结；

步骤B：在TSS芯片与上框架用焊料进行粘结；

步骤C：进行回流焊固化焊料；

步骤D：依次把TVS芯片与TSS芯片叠合，器件中间插入框架或铜片并使用焊片进行连接；

步骤E：回流焊进行固化；

步骤F：塑封，测试。

本实用新型的有益效果是：本实用新型使用低电容TSS芯片与大功率TVS芯片串联来实现双向负阻特性，在实现低电容的同时有强的抗浪涌能力；本实用新型可以在频率较高的电路上使用，并且具有封装体积小，成本低，可靠性高的优点。

附图说明

图1是本实用新型的低电容双向带负阻TVS器件的制造方法步骤A的状态示意图。

图2是本实用新型的低电容双向带负阻TVS器件的制造方法步骤B的状态示意图。

图3是本实用新型的低电容双向带负阻TVS器件的制造方法步骤D的状态示意图。