[实用新型]一种染料敏化太阳能电池埋栅电极有效

专利信息
申请号: 201721486885.6 申请日: 2017-11-09
公开(公告)号: CN207690655U 公开(公告)日: 2018-08-03
发明(设计)人: 秦艺颖;叶金花;文贵华;刘建国;吴聪萍;邹志刚 申请(专利权)人: 南京大学昆山创新研究院
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20;H01G9/042;H01G9/048
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林;张倩倩
地址: 215347 江苏省苏州市昆*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 导电膜 埋栅电极 银栅线 染料敏化太阳能电池 本实用新型 埋覆 耐热性 电池稳定性 电解液泄露 复合导电膜 表层覆盖 玻璃基体 导电基体 空气中氧 传统的 电阻率 叠置 两层 内层 吸附 银栅 制备 腐蚀
【权利要求书】:

1.一种染料敏化太阳能电池埋栅电极,其特征是,包括由下至上依次叠置的玻璃基体、ITO导电膜、银栅线和FTO导电膜;银栅线埋覆于ITO导电膜与FTO导电膜之间。

2.根据权利要求1所述的染料敏化太阳能电池埋栅电极,其特征是,ITO导电膜朝向FTO导电膜的一面上,设有形状与银栅线形状相适应的刻蚀沟槽,银栅线填充于所述刻蚀沟槽内。

3.根据权利要求1所述的染料敏化太阳能电池埋栅电极,其特征是,所述ITO导电膜的厚度为50-1000nm,FTO导电膜的厚度为30-500nm。

4.根据权利要求1所述的染料敏化太阳能电池埋栅电极,其特征是,银栅线的单线宽度为1mm,厚度为20-50nm,且银栅线厚度小于ITO导电膜厚度。

5.根据权利要求1所述的染料敏化太阳能电池埋栅电极,其特征是,ITO导电膜上的刻蚀沟槽深度为20-50nm,且刻蚀沟槽深度小于ITO导电膜厚度;对应单条银栅线的刻蚀沟槽宽度为1mm。

6.根据权利要求1所述的染料敏化太阳能电池埋栅电极,其特征是,所述玻璃基体采用透光率为85%~95%的玻璃。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学昆山创新研究院,未经南京大学昆山创新研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721486885.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top