[实用新型]一种电磁辐射屏蔽结构

权利要求书

1.一种电磁辐射屏蔽结构，其特征在于：包括自下向上依次设置的支撑层(1)、金属层(2)以及纳米复合层；所述金属层的厚度大于待屏蔽电磁辐射的穿透深度，金属层(2)的厚度大于或等于基底(3)的厚度；所述纳米复合层的主体为基底(3)，其中填充有金属纳米颗粒(4)，金属层和纳米复合层的厚度以及材料配置和金属纳米颗粒的体填充属性满足电磁辐射在微结构中的等离激元自约束效应。

2.根据权利要求1所述的电磁辐射屏蔽结构，其特征在于：所述纳米复合层的厚度在几十至几百纳米量级，所述金属层的厚度在几十至几百纳米量级。

3.根据权利要求1所述的电磁辐射屏蔽结构，其特征在于：所述基底的材料为聚四氟乙烯、氟化钙或氟化镁。

4.根据权利要求1所述的电磁辐射屏蔽结构，其特征在于：所述金属层的材料为金、银或铝。

5.根据权利要求1所述的电磁辐射屏蔽结构，其特征在于：所述金属纳米颗粒的材料为金或银。

6.根据权利要求1所述的电磁辐射屏蔽结构，其特征在于：所述支撑层为石英玻璃。

7.根据权利要求1所述的电磁辐射屏蔽结构，其特征在于：待屏蔽电磁辐射波长为300-800nm，则所述金属层为厚度25nm的金薄膜，基底为厚度20nm的聚四氟乙烯，金属纳米颗粒为银颗粒，直径在几个纳米量级。