[实用新型]背照式图像传感器及成像系统有效
| 申请号： | 201721494607.5 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN207558797U | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深沟槽隔离结构 光电二极管 半导体材料 导电材料 背照式图像传感器 成像系统 电压源 界面处 离子注入区域 本实用新型 电荷 暗电流 耦合到 噪点 成像 诱发 施加 隔离 响应 | ||
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，其包括：
多个光电二极管，其位于半导体材料中；
深沟槽隔离结构，其位于所述光电二极管之间以隔离所述光电二极管；
离子注入区域，其位于所述半导体材料中且耦合至电压源；
其中所述深沟槽隔离结构包含：
导电材料，其耦合到所述离子注入区域及所述电压源；及
电介质材料，其位于所述深沟槽隔离结构的侧壁上且介于所述半导体材料与所述导电材料之间。
2.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，其进一步包括：位于所述半导体材料下方的金属互连层，所述离子注入区域通过接触孔耦合至金属互连层的内部电压源。
3.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，其进一步包括：位于所述离子注入区域周围且贯穿所述半导体材料的隔离区域，所述隔离区域为深沟槽隔离区域，或者离子注入隔离区域，或者深沟槽隔离区域与离子注入隔离区域的组合，或者深沟槽隔离区域与浅沟槽隔离区域的组合。
4.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述导电材料通过金属连线耦合到所述离子注入区域。
5.根据权利要求4所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述金属连线与所述离子注入区域之外的半导体材料之间由介质层进行电隔离。
6.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述光电二极管为N型掺杂区域，所述电压源为负电压源。
7.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述光电二极管为P型掺杂区域，所述电压源为正电压源。
8.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述导电材料包含钨、铜、铝、钛、多晶硅中的至少一种或其任意组合。
9.根据权利要求1所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述电介质材料包含氧化铪、二氧化硅、氮氧化硅、氧化铝中的至少一种或其任意组合。
10.一种成像系统，其特征在于，其包括：如权利要求1-9中任一项所述的背照式图像传感器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
