[实用新型]一种同步随机动态存储器有效
申请号: | 201721496745.7 | 申请日: | 2017-11-08 |
公开(公告)号: | CN207458916U | 公开(公告)日: | 2018-06-05 |
发明(设计)人: | 常佰刚;陈斐;刘成君 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创微电子有限责任公司 |
主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L23/488;H01L27/108 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;李相雨 |
地址: | 100016 北京市朝*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 底座 焊丝 焊盘 减小 随机动态存储器 本实用新型 朝上设置 横向距离 芯片放置 上表面 顶面 | ||
1.一种同步随机动态存储器,其特征在于,包括:底座、基片和芯片;
所述底座上开设有第一凹槽,在所述第一凹槽的底部开设有第二凹槽,所述芯片位于所述第二凹槽内,所述芯片的焊盘在所述第二凹槽中朝上设置,所述基片在所述芯片之上,所述基片上设有孔,所述基片的孔的面积小于所述芯片的面积,所述基片上的孔与所述芯片的焊盘对应设置,所述基片的顶面高度低于所述第一凹槽的上表面的高度,所述芯片和所述基片通过压焊丝连接,所述基片和所述底座通过压焊丝连接。
2.根据权利要求1所述的同步随机动态存储器,其特征在于,还包括垫片;
所述垫片中间设有孔,所述垫片位于所述第二凹槽内,所述芯片位于所述垫片的孔内,所述基片位于所述垫片上。
3.根据权利要求1所述的同步随机动态存储器,其特征在于,所述基片为薄膜基片。
4.根据权利要求3所述的同步随机动态存储器,其特征在于,所述薄膜基片为微晶玻璃。
5.根据权利要求1所述的同步随机动态存储器,其特征在于,所述基片的厚度为0.127mm。
6.根据权利要求2所述的同步随机动态存储器,其特征在于,所述垫片的厚度为0.2mm。
7.根据权利要求2所述的同步随机动态存储器,其特征在于,在所述底座上粘接有一层薄膜,所述垫片和所述芯片位于所述薄膜上。
8.根据权利要求7所述的同步随机动态存储器,其特征在于,所述芯片和所述垫片粘接在所述第二凹槽的底部,所述基片粘接在所述垫片上。
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