[实用新型]一种MWT电池片及其栅线电极结构有效
申请号: | 201721504498.0 | 申请日: | 2017-11-13 |
公开(公告)号: | CN207381415U | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 张珂;孙明亮;吴仕梁;逯好峰;安欣睿;路忠林;李质磊;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 南京日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 王艳丽 |
地址: | 211800 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mwt 电池 及其 电极 结构 | ||
本实用新型公开了一种MWT电池片及其栅线电极结构。电极结构,包括设于电池片正面的若干横纵交错的横栅线和纵栅线,横栅线和纵栅线的交点处为导电通孔,相邻两个导电通孔之间设有同心布置的多个矩形细栅线,每个矩形细栅线的其中一条对角线在横栅线或纵栅线上,还包括设于相邻两个横栅线之间的横向辅助栅线以及设于相邻两个纵栅线之间的纵向辅助栅线,每个矩形细栅线的另一条对角线在横向辅助栅线或纵向辅助栅线上。本实用新型通过添加横向辅助栅线和纵向辅助栅线,使任一条细栅线都至少可以连接到3个负极点,当出现隐裂与裂片时,即使裂纹切断电池片栅线,栅线上的电流还是可以汇聚到负极点,不会出现电池片失效,因而提高组件效率。
技术领域
本实用新型涉及MWT电池,尤其涉及一种MWT电池片及其栅线电极结构。
背景技术
MWT电池片栅线主要起到汇集电流的作用,因为MWT组件的负极点的分散性,类比常规电池片,MWT电池片对抗隐裂与裂片所引起的失效要强很多(理论上只要细栅线可以将电流汇集到负极点就不会失效)。
目前的MWT电池片设计的细栅线包含只连接两个负极点的细栅线,存在被单条裂纹切断的风险。图1、图2显示了现有的一种MWT电池片栅线电极结构,当出现裂纹时,A位置则被切断,无法汇聚电流。
因此,有必要对现有的结构进行改进,以克服上述缺陷。
发明内容
发明目的:为解决现有MWT电池片栅线设计弊端,本实用新型提供了一种MWT电池及其栅线电极结构,目的在于减少因电池片裂片或隐裂造成的电池片部分面积失效,提高组件效率,为企业创造经济价值。
技术方案:本实用新型所述的MWT电池片栅线电极结构,包括设于电池片正面的若干横纵交错的横栅线和纵栅线,横栅线和纵栅线的交点处为导电通孔,相邻两个导电通孔之间设有同心布置的多个矩形细栅线,每个矩形细栅线的其中一条对角线在横栅线或纵栅线上,还包括设于相邻两个横栅线之间的横向辅助栅线以及设于相邻两个纵栅线之间的纵向辅助栅线,每个矩形细栅线的另一条对角线在横向辅助栅线或纵向辅助栅线上。
作为优选,矩形为正方形。
作为优选,所有的横栅线平行设置,相邻两条横栅线之间的间隔距离相同;所有的纵栅线平行设置,相邻两条纵栅线之间的间隔距离相同。
作为优选,横栅线的间隔距离与两条纵栅线的间隔距离相同。
作为优选,横向辅助栅线设于相邻两个横栅线正中间,纵向辅助栅线设于相邻两个纵栅线正中间。
作为优选,相邻矩形细栅线的间隔距离相同。
作为优选,横向辅助栅线和纵向辅助栅线为直线型。
作为优选,所述横向辅助栅线、纵向辅助栅线与矩形细栅线的宽度相同,为25~35μm。
本实用新型还提供了一种MWT电池片,具有所述的MWT电池片栅线电极结构。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果为:本实用新型通过添加横向辅助栅线和纵向辅助栅线,使任一条细栅线都至少可以连接到3个负极点,当出现隐裂与裂片时,即使裂纹切断电池片栅线,栅线上的电流还是可以汇聚到负极点,不会出现电池片失效,因而提高组件效率。
附图说明
图1为现有的MWT电池片栅线电极结构;
图2为图1的局部放大图;
图3为本实用新型MWT电池片正面结构示意图;
图4为本实用新型MWT电池片背面结构示意图;
图中,1-横栅线;2-纵栅线;3-导电通孔;4-细栅线;5-横向辅助栅线;6-纵向辅助栅线;7-背面正极点;8-背面负极点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京日托光伏科技股份有限公司,未经南京日托光伏科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721504498.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种无人机悬停飞行训练的定位装置
- 下一篇:一种建筑装修用高频设备减震支架
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的