[实用新型]一种多晶硅打压用干式变压器低压引线结构有效

专利信息
申请号: 201721506684.8 申请日: 2017-11-13
公开(公告)号: CN207367759U 公开(公告)日: 2018-05-15
发明(设计)人: 赵忠云;刘利艳;赵璨 申请(专利权)人: 天津天能变压器有限公司
主分类号: H01F27/28 分类号: H01F27/28;H01F27/29;H01F27/32
代理公司: 天津市尚文知识产权代理有限公司 12222 代理人: 程昊
地址: 300400 天津市北*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 多晶 打压 用干式 变压器 低压 引线 结构
【权利要求书】:

1.一种多晶硅打压用干式变压器低压引线结构,其特征在于它包括引出铜排、低压引线并联封接铜排、低压引线支撑绝缘子和引出铜排固定绝缘子;其中,低压引线并联封接铜排上固定连接引出铜排;所述低压引线并联封接铜排通过低压引线支撑绝缘子固定;所述引出铜排通过引出铜排固定绝缘子固定;所述低压引线并联封接铜排分别与低压线圈引出线X、a4、a3连接;所述低压线圈引出线X、a4、a3之间填充的环氧玻璃布板。

2.根据权利要求1所述一种多晶硅打压用干式变压器低压引线结构,其特征在于所述低压引线并联封接铜排是分层结构,有三层,分别与低压线圈引出线X、a4、a3连接;所述低压引线封接铜排分别在其左、中、右三处用3个低压引线支撑绝缘子固定支撑。

3.根据权利要求1所述一种多晶硅打压用干式变压器低压引线结构,其特征在于所述引出铜排有5个,分别对应引出线X、a1、a2、a3、a4。

4.根据权利要求2所述一种多晶硅打压用干式变压器低压引线结构,其特征在于所述引出线X、a4、a3对应的引出铜排及低压引线封接铜排的截面积是6*60 mm2,分别对应输出12kV、10.5kV。

5.根据权利要求1所述一种多晶硅打压用干式变压器低压引线结构,其特征在于所述引出铜排固定绝缘子的预埋螺母采用M16的螺母,引出铜排固定绝缘子直径为Φ80。

6.根据权利要求1所述一种多晶硅打压用干式变压器低压引线结构,其特征在于所述变压器的低压绕组是采用环氧树脂浇注形式的结构。

7.根据权利要求1所述一种多晶硅打压用干式变压器低压引线结构,其特征在于所述变压器的低压绕组一般为四档,绕组设置三个抽头;两低压绕组并联。

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