[实用新型]一种氧化锆陶瓷与氧化铝陶瓷共烧的片式氧传感器陶瓷芯片

权利要求书

1.一种氧化锆陶瓷与氧化铝陶瓷共烧的片式氧传感器陶瓷芯片，其特征在于，该片式氧传感器陶瓷芯片包括保护层(1)、第一氧化铝陶瓷基体(10A)、外电极引脚(2)、内电极引脚(3)、铂金外电极(4)、氧化锆反应层(5)、铂金内电极(6)、外电极通孔铂金导线(7)、内电极通孔铂金导线(8)、第二氧化铝陶瓷基体(10B)、第三氧化铝陶瓷基体(10C)、加热器(11)、第四氧化铝陶瓷基体(10D)、第一加热通孔铂金导线(14)、第二加热通孔铂金导线(15)、第一加热电极引脚(12)和第二加热电极引脚(13)；所述的保护层(1)和第一氧化铝陶瓷基体(10A)分别覆盖设置在氧化锆反应层(5)的左、右上方，所述的外电极引脚(2)、内电极引脚(3)设置在第一氧化铝陶瓷基体(10A)的上方，所述的外电极通孔铂金导线(7)穿过第一氧化铝陶瓷基体(10A)，外电极通孔铂金导线(7)的上端与所述的外电极引脚(2)相连接，下端与铂金外电极(4)相连接，所述的内电极通孔铂金导线(8)穿过第一氧化铝陶瓷基体(10A)和氧化锆反应层(5)，上端与所述的内电极引脚(3)相连接，下端与铂金内电极(6)相连接；所述的第二氧化铝陶瓷基体(10B)设置在氧化锆反应层(5)的下方，在第二氧化铝陶瓷基体(10B)上设置有参比气道(9)；所述的加热器(11)设置在第三氧化铝陶瓷基体(10C)和第四氧化铝陶瓷基体(10D)之间，第三氧化铝陶瓷基体(10C)设置在第二氧化铝陶瓷基体(10B)的下方，第一加热电极引脚(12)和第二加热电极引脚(13)分别设置在第四氧化铝陶瓷基体(10D)的下方，所述的第一加热通孔铂金导线(14)、第二加热通孔铂金导线(15)分别穿过第四氧化铝陶瓷基体(10D)，下端分别连接第一加热电极引脚(12)和第二加热电极引脚(13)，上端分别连接加热器(11)的两极。