[实用新型]基于光纤光栅的磁场与温度双参量传感器

权利要求书

1.一种基于光纤光栅的磁场与温度双参量传感器，其特征在于：它包括ASE宽带光源（1）、光纤光栅磁场传感头（2）、光纤光栅温度传感头（3）、光谱仪（4）；

其中光纤光栅磁场传感头（2）中包含一由氢氟酸腐蚀的一号微纳光纤光栅（2.1)、一号底板（2.2）、磁致伸缩材料（2.3）；

其中光纤光栅温度传感头（3）中包含一经由氢氟酸腐蚀的二号微纳光纤光栅（3.2）、二号底板（3.1）；

ASE宽带光源（1）通过单模光纤连接光纤光栅磁场传感头（2）一侧，光纤光栅磁场传感头（2）另一侧通过一根单模光纤连接光纤光栅温度传感头（3）一侧，光纤光栅温度传感头（3）另一侧通过一根单模光纤连接光谱仪（4）。

2.根据权利要求1所述的一种基于光纤光栅的磁场与温度双参量传感器，其特征在于：所述的宽带光源（1）中心波长为1550nm，带宽为40nm。

3.根据权利要求1所述的一种基于光纤光栅的磁场与温度双参量传感器，其特征在于：所述的光纤光栅磁场传感头（2）其内部包含一由氢氟酸腐蚀后的一号微纳光纤光栅（2.1）、一号底板（2.2）、磁致伸缩材料（2.3）。

4.根据权利要求1所述的一种基于光纤光栅的磁场与温度双参量传感器，其特征在于：所述的光纤光栅温度传感头（3）其光纤光栅的布拉格波长为1548.726nm；其内部包含一经由氢氟酸腐蚀的二号微纳光纤光栅（3.2）、二号底板（3.1）。

5.根据权利要求1所述的一种基于光纤光栅的磁场与温度双参量传感器，其特征在于：所述的光纤光栅磁场传感头（2）其光纤光栅的布拉格波长为1552.374nm；其内部包含一经由氢氟酸腐蚀的一号微纳光纤光栅（2.1）、一号底板（2.2）、磁致伸缩材料（2.3）。

6.根据权利要求1所述的一种基于光纤光栅的磁场与温度双参量传感器，其特征在于：所述的一号微纳光纤光栅（2.1）用光纤胶使其粘着在一号底板（2.2）上。

7.根据权利要求1所述的一种基于光纤光栅的磁场与温度双参量传感器，其特征在于：所述的二号微纳光纤光栅（3.2）用光纤胶使其粘着在二号底板（3.1）上。

8.根据权利要求1所述的一种基于光纤光栅的磁场与温度双参量传感器，其特征在于：所述的磁致伸缩材料（2.3）均匀且分散的附着在一号底板（2.2）上。