[实用新型]一种半导体晶片喷砂加工除尘装置有效

专利信息
申请号: 201721515382.7 申请日: 2017-11-14
公开(公告)号: CN207372995U 公开(公告)日: 2018-05-18
发明(设计)人: 吴兴旺;徐明星;杨勇;史国顺 申请(专利权)人: 山东芯诺电子科技股份有限公司
主分类号: B24C9/00 分类号: B24C9/00;B08B15/04
代理公司: 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 代理人: 周仕芳;卢登涛
地址: 272100 山东省济*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 晶片 喷砂 加工 除尘 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体晶片喷砂加工除尘装置,其特征在于,包括排风除尘管路(1)和水循环系统,所述排风除尘管路(1)下端设有进风口(7),排风除尘管路(1)的顶端开口为出风口(2),进风口(7)连接喷砂机排风系统,排风除尘管路(1)包括由下至上的四级滤网,排风除尘管路(1)底部设有初级沉淀池(9);

所述水循环系统包括多级沉淀池,多级沉淀池入口端连接所述初级沉淀池(9),多级沉淀池出口端连接多孔喷淋管(18),多孔喷淋管(18)设置在所述四级滤网上部。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶片喷砂加工除尘装置,其特征在于,所述四级滤网包括孔径依次缩小的一级过滤网(6)、二级过滤网(5)、三级过滤网(4)、四级过滤网(3)。

3.根据权利要求2所述的一种半导体晶片喷砂加工除尘装置,其特征在于,所述一级过滤网(6)为大孔径过滤网,孔径为0.3mm;所述二级过滤网(5)孔径为0.2mm;所述三级过滤网(4)孔径为0.15mm;所述四级过滤网(3)孔径为0.1mm。

4.根据权利要求1所述的一种半导体晶片喷砂加工除尘装置,其特征在于,所述初级沉淀池(9)设有初级清砂口(8)和出水口(10),出水口(10)连接多级沉淀池入口端。

5.根据权利要求1所述的一种半导体晶片喷砂加工除尘装置,其特征在于,所述多级沉淀池包括二级沉淀池(11)、三级沉淀池(12)、清水池(13),二级沉淀池(11)、三级沉淀池(12)、清水池(13)之间相互隔离。

6.根据权利要求5所述的一种半导体晶片喷砂加工除尘装置,其特征在于,所述二级沉淀池(11)底端均设有二级清砂口(14),三级沉淀池(12)底端均设有三级清砂口(15)。

7.根据权利要求5所述的一种半导体晶片喷砂加工除尘装置,其特征在于,所述清水池(13)通过上水管(17)连接多孔喷淋管(18),上水管(17)上设有水泵(16)。

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