[实用新型]一种异质结太阳能电池

说明书

本实用新型公开了一种异质结太阳能电池，包括n型单晶硅片，设在n型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层，设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的银浆栅线前电极，设在n型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层，设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层，设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二导电薄膜层，设在第二导电薄膜层上的金属焊接盘，设在金属焊盘上的金属箔膜。本实用背面电极通过设置金属焊盘及金属箔膜，大幅降低了电池电极生产成本，减小了电池串联电阻，提升了电池转换效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池。

背景技术

太阳能电池是一种能将太阳能转换成电能的半导体器件，在光照条件下太阳能电池内部会产生光生电流，通过电极将电能输出。近年来，太阳能电池生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，太阳能电池发电的应用日益广泛并成为电力供应的重要能源。

异质结太阳能电池是其中一种新型的电池技术，其综合了单晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池的优势，有制备工艺温度低、转换效率更高、高温特性好等特点，因此具有很大的市场潜力。

现有的异质结太阳能电池基本结构如下：在n型单晶硅片正、背面沉积一层本征非晶硅层；在正背面的本征非晶硅层表面分别沉积p型非晶硅层和n型非晶硅层；在电池的正背面沉积透明导电膜；在电池正背两面制作银栅电极，整个制备过程都是在低于220℃下进行的。

从现有的异质结太阳能电池基本结构可以看出，异质结太阳能电池制备过程都在220度下进行，目前市场上一般采用低温银浆作为栅线电极，低温银浆与目前晶硅电池使用的高温银浆对比，印刷宽度更宽，耗用量更大，市场价格非常昂贵，另外电池背面采用的银浆用量通常是正面的2～3倍，因此背面银浆栅线大幅增加了电池的生产成本。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中的缺陷，提供一种异质结太阳能电池，使其具有成本低、转换效率高的特点。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种异质结太阳能电池，包括n型单晶硅片，设在n型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层，设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的银浆栅线前电极，设在n型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层，设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层，设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二导电薄膜层，设在第二导电薄膜层上的金属焊接盘，设在金属焊盘上的金属箔膜。

优选的，所述第一掺杂非晶硅薄膜层为n型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层则为p型非晶硅薄膜层；所述第一掺杂非晶硅薄膜层为p型非晶硅薄膜层时，所述第二掺杂非晶硅薄膜层则为n型非晶硅薄膜层。

优选的，所述第一透明导电薄膜层的厚度为10～150nm、第二导电薄膜层的厚度为10～150nm，所述第一本征非晶硅薄膜层厚度为4～10nm，第一掺杂非晶硅薄膜层厚度为4～10nm、第二本征非晶硅薄膜层厚度为4～10nm，第二掺杂非晶硅薄膜层厚度为5～15nm。

优选的，所诉第一透明导电薄膜层及第二透明导电薄膜层为氧化铟锡薄膜、掺铝氧化锌薄膜、掺钨氧化铟中的至少一种。

优选的，所述金属焊盘中的金属为银浆、银铜浆、锡膏中的至少一种，厚度为1～30um。

优选的，所述金属箔膜为铜箔、镀锡铜箔中的一种，厚度为10～500um，方阻小于0.05Ω/□。

由上述对本实用新型结构的描述可知，和现有技术相比，本实用新型具有如下优点：