[实用新型]一种晶体硅太阳能电池结构

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，自上而下依次包括正面电极(8)、第一减反射膜(1)、第一掺杂多/微晶硅层(2)、第一隧穿氧化层(3)、晶体硅片(4)、第二隧穿氧化层(5)、第二掺杂多/微晶硅层(6)、第二减反射膜(7)和背面电极(9)；正面电极(8)穿透第一减反射膜(1)与第一掺杂多/微晶硅层(2)形成电接触；背面电极(9)穿透第二减反射膜(7)与第二掺杂多/微晶硅层(6)形成电接触。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，晶体硅片(4)为P型或N型的单晶硅片或多晶硅片。

3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，两个隧穿氧化层均为氧化硅、氧化铝、氧化钛、氮氧化硅的一种或多种叠层，厚度为1～3nm。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，两个减反射膜厚度均为50～100nm，减反射膜可为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化钛、氧化铝薄膜的一种或多种叠层。

5.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，正反面电极为细栅线状，正反面电极为银电极、铝电极、镍电极、铜电极、合金电极或金属复合电极。

6.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，两个掺杂多/微晶硅层的厚度均为10～300nm。

7.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池结构，其特征在于，第一掺杂多/微晶硅层(2)与第二掺杂多/微晶硅层(6)中的掺杂剂类型不同。