[实用新型]运用垂直螺旋式硅通孔电感的低通滤波器

权利要求书

1.运用垂直螺旋式硅通孔电感的低通滤波器，由多个元件单元构成，输入输出端口位于基底顶部的重新布局层，其特征在于：

所述元件单元包括位于基底顶部的重新布局层、位于基底中间的硅通孔阵列与同轴硅通孔阵列、位于基底底部的重新构建层；

硅通孔阵列包括位于同一直线但互不连接的六个硅通孔，从左至右定义为第一至第六硅通孔；同轴硅通孔阵列与硅通孔阵列平行设置，从左至右包括第一、第二同轴硅通孔；

第一硅通孔的重新布局层端与第一同轴硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第二硅通孔的重新布局层端与第六硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第三硅通孔的重新布局层端与第五硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第四硅通孔的重新布局层端与第二同轴硅通孔的重新布局层端通过金属线连接，第一硅通孔的重新构建层端与第六硅通孔的重新构建层端通过金属线连接，第二硅通孔的重新布局层端与第五硅通孔的重新构建层端通过金属线连接，第三硅通孔的重新布局层端与第四硅通孔的重新构建层端通过金属线连接，将第一同轴硅通孔的重新布局层端作为整个器件的信号输入端口或接相邻单元的信号输出端口，将第二同轴硅通孔的重新布局层端作为整个器件的信号输出端口或接相邻单元的信号输入端口。

2.如权利要求1所述的运用垂直螺旋式硅通孔电感的低通滤波器，其特征在于位于基底顶部的重新布局层、位于基底中间的硅通孔阵列、位于基底底部的重新构建层构成垂直螺旋式硅通孔电感器；其中硅通孔间的间距、硅通孔的高度与半径决定垂直螺旋式硅通孔电感器的电感值。

3.如权利要求1所述的运用垂直螺旋式硅通孔电感的低通滤波器，其特征在于位于基底顶部的重新布局层、位于基底中间的同轴硅通孔阵列构成同轴硅通孔电容器；同轴硅通孔的高度、内径和外径决定同轴硅通孔电容器电容值的大小。

4.如权利要求1所述的运用垂直螺旋式硅通孔电感的低通滤波器，其特征在于同轴硅通孔由金属内芯、内部绝缘层、金属外环和外部绝缘层贯穿基底构成；金属内芯、内部绝缘层和金属外环构成的环形结构构成电容器。

5.如权利要求4所述的运用垂直螺旋式硅通孔电感的低通滤波器，其特征在于内部绝缘层选用高介电常数材料来增大电容值。

6.如权利要求1所述的运用垂直螺旋式硅通孔电感的低通滤波器，其特征在于硅通孔由金属内芯和绝缘层贯穿基底构成。