[实用新型]氧化镓场效应晶体管

说明书

本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓场效应晶体管。氧化镓场效应晶体管包括：衬底、氧化镓沟道层、源极、漏极和栅极，所述衬底上表面为所述氧化镓沟道层，所述氧化镓沟道层的两侧分别为所述源极和所述漏极，所述氧化镓沟道层的中部为所述栅极，所述栅极全包围所述氧化镓沟道层。本实用新型实施例提供的氧化镓场效应晶体管，在通过提高氧化镓沟道层的厚度以提高电流密度时，通过将栅极设计为全包围所述氧化镓沟道层，不会导致栅控变差，能够获得良好的栅控。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种氧化镓场效应晶体管。

背景技术

氧化镓(Ga2O3)是金属镓(Ga)的氧化物。Ga2O3的禁带宽度为4.8eV，高于第一代半导体硅，也高于第三代宽禁带半导体GaN和SiC。Ga2O3的击穿电场为8MV/cm，高于硅的0.3MV/cm，也高于GaN的3.3MV/cm和SiC的2.5MV/cm，这意味着相同的器件尺寸下，Ga2O3的耐击穿电压理论上是硅的26.6倍，是GaN的2.4倍，是SiC的3.2倍。在功率器件应用领域，Ga2O3场效应晶体管(FET)还具有化学性质稳定、高耐压、低损耗、低漏电、耐高温、抗辐照、可靠性高以及低成本等优势。

但是，Ga2O3FET电流密度低，常用的提高电流密度的方法是提高沟道层厚度，但是这种方法会导致栅控特性变差。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种氧化镓场效应晶体管，以解决现有技术中提高氧化镓场效应晶体管电流密度导致栅控特性变差的问题。

本实用新型实施例的第一方面提供了一种氧化镓场效应晶体管方法，包括：衬底、氧化镓沟道层、源极、漏极和栅极，所述衬底上表面为所述氧化镓沟道层，所述氧化镓沟道层的两侧分别为所述源极和所述漏极，所述氧化镓沟道层的中部为所述栅极；所述栅极全包围所述氧化镓沟道层。

可选的，所述栅极与所述氧化镓沟道层形成肖特基接触。

可选的，所述栅极与所述氧化镓沟道层之间具有介质层，所述介质层全包围所述氧化镓沟道层。

进一步的，所述介质层的厚度小于或等于100纳米。

进一步的，所述介质层为SiO2层、AlN层、SiN层、Al2O3层、绝缘高阻Ga2O3层或其中两种或两种以上的组合。

可选的，所述氧化镓沟道层的厚度大于或等于10纳米且小于或等于2000纳米。

可选的，所述氧化镓沟道层为n型掺杂。

进一步的，所述氧化镓沟道层的掺杂浓度大于1×1016cm-3。

可选的，所述源极与所述氧化镓沟道层形成欧姆接触。

可选的，所述漏极与所述氧化镓沟道层形成欧姆接触。