[实用新型]一种加载引向器的高增益Vivaldi阵列天线

说明书

本实用新型涉及天线技术领域，尤其涉及一种加载引向器的高增益Vivaldi阵列天线，包括微带SIW转换结构、基于SIW的一分八路功分器和八个Vivaldi天线单元，微带SIW转换结构将由微带线馈入的电磁波转换为SIW传输段的电磁波；微带SIW转换结构包括微带线、梯形微带渐变线、金属地和SIW传输段；基于SIW的一分八路功分器包括金属层和感性金属通孔，Vivaldi天线单元包括Vivaldi辐射单元、椭圆形金属贴片和半椭圆形介质基板。本实用新型可以覆盖39.5‑46GHz频段，并在原有阵列天线的基础上，在所覆盖频段内提高天线增益1dB以上。

技术领域

本实用新型涉及天线技术领域，尤其涉及一种加载引向器的高增益Vivaldi阵列天线。

背景技术

毫米波技术通过提升频谱带宽可以实现超高速无线数据传播，从而成为5G通讯中的关键技术之一。于上世纪七十年代提出的Vivaldi天线作为一种线极化行波天线，具有宽带、高增益以及低交叉极化等特点，已广泛应用于通信、电子对抗等领域之中。随着平面集成电路的发展，成本低、结构简单、易加工的印刷Vivaldi天线阵列得到了学者们的广泛关注。将Vivaldi阵列天线应用于毫米波频段之中是当下的研究热点。

传统的天线阵列一般采用基于微带线或带状线结构的馈电网络，而在毫米波频段，微带线会向外产生不容忽视的辐射，因而能量传输效率并不高；带状线结构的馈电网络尽管克服了这一缺点，但其馈电网络较为复杂，因而加工成本比较高昂。根据Vivaldi天线的辐射原理，该天线由一端较窄的槽线过渡至另一端较宽的槽线构成，槽线过渡呈指数变化规律，其不同部分辐射不同频率的电磁波，因此，要实现较宽的阻抗带宽，就要相应增加Vivaldi辐射单元长度，这就使辐射贴片的不同位置之间产生一定程度的耦合现象，导致相位反转，使辐射方向图产生失真并减小天线增益。而减小Vivaldi辐射单元的长度会使得低频处的谐振点向高频方向移动，阻抗带宽变窄。

基片集成波导(SIW)技术是一种新型导波结构，由介质基片上的金属化通孔阵列制成，其传播特性与矩形波导类似，制成的毫米波部件具有低插损、低辐射、易集成的优点。

实用新型内容

本实用新型提供了一种有效抑制电磁波在辐射单元表面的相位反转现象从而提高天线增益的加载引向器的高增益Vivaldi阵列天线。

为了实现本实用新型的目的，所采用的技术方案是：一种加载引向器的高增益Vivaldi阵列天线，包括微带SIW转换结构、基于SIW的一分八路功分器和八个Vivaldi天线单元，微带SIW转换结构将馈入的电磁波转换为SIW传输段的电磁波，基于SIW的一分八路功分器将SIW传输段的电磁波均匀传输至八个Vivaldi天线单元，微带SIW转换结构包括微带线、梯形微带渐变线和SIW传输段，微带线和SIW传输段通过梯形微带渐变线连接，基于SIW的一分八路功分器包括金属层和感性金属通孔，Vivaldi天线单元包括Vivaldi辐射单元、椭圆形金属贴片和半椭圆形介质基板，椭圆形金属贴片加载在Vivaldi辐射单元的末端，椭圆形金属贴片覆盖在半椭圆形介质基板上。

作为本实用新型的优化方案，椭圆形金属贴片作为加载引向器的高增益Vivaldi阵列天线的引向器，Vivaldi天线单元还包括第一重叠区和第二重叠区，相邻Vivaldi辐射单元正面金属层和背面金属层重叠的区域为第一重叠区，单个Vivaldi辐射单元金属层重叠的区域为第二重叠区。

作为本实用新型的优化方案，微带SIW转换结构还包括金属地，金属地位于介质板的背面，微带线和梯形微带渐变线位于介质板的正面，SIW传输段包括SIW金属层和SIW金属通孔，SIW金属层分别覆盖在介质板的正面和背面，SIW金属通孔排布在SIW金属层的两侧。

作为本实用新型的优化方案，介质板的厚度为0.254mm。

本实用新型具有积极的效果：1)本实用新型可以覆盖39.5-46GHz频段，并在原有阵列天线的基础上，在所覆盖频段内提高天线增益1dB以上；