[实用新型]电磁炉

说明书

本实用新型提供一种电磁炉，包括：谐振电路(10)和绝缘栅双极型晶体管IGBT(20)，谐振电路(10)与IGBT(20)的集电极连接，其特征在于，IGBT(20)的集电极与发射极之间并联有保护电路(30)，保护电路(30)用于在IGBT(20)的集电极电压高于保护电路(30)的第一阈值电压时，吸收IGBT(20)的集电极电压，将IGBT(20)的集电极电压钳位在第二阈值电压。本实用新型提供的技术方案可以提高电磁炉的电路安全性。

技术领域

本实用新型涉及家电技术领域，尤其涉及一种电磁炉。

背景技术

电磁炉是利用线圈盘产生的磁力线切割锅具产生涡旋电流，涡旋电流的焦耳热效应使锅具升温，从而实现加热。电磁炉由于加热方便快捷，且没有明火等优点，已成为人们生活中使用频率很高的一种烹饪器具。

电磁炉的加热回路一般包括谐振电路和绝缘栅双极型晶体管(Insulated GateBipolar Transistor，IGBT)，电磁炉通过控制IGBT使得谐振电路发生振荡，即谐振电路中的线圈盘和电容互相充放电，从而使谐振电路中的线圈盘上形成高频变化的电流，进而产生磁场，通过磁场的磁力线切割锅具实现电磁加热。电磁炉在工作过程中，如果电网电压不稳，产生高压脉冲时，高压脉冲会叠加到IGBT的C极，使IGBT的C极电压超出IGBT的耐压值，造成电磁炉中的IGBT击穿。为了提高电路的安全性，目前的电磁炉一般是通过电阻分压电路对IGBT的C极电压进行采样，并通过电磁炉中微控制单元(Microcontroller Unit，MCU)内部的比较器来进行限制保护，保证IGBT的C极电压低于IGBT的额定耐压值。

然而，受电阻分压电路的采样精度和MCU保护电路的响应时间等影响，IGBT会承受短时间的高电压，一旦该电压过高或者时间稍长，IGBT就会击穿损坏。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种电磁炉，用于提高电磁炉的电路安全性。

为了实现上述目的，本实用新型实施例提供一种电磁炉，包括：谐振电路和绝缘栅双极型晶体管IGBT，谐振电路与IGBT的集电极连接，IGBT的集电极与发射极之间并联有保护电路，保护电路用于在IGBT的集电极电压高于保护电路的第一阈值电压时，吸收IGBT的集电极电压，将IGBT的集电极电压钳位在第二阈值电压。

通过在IGBT的集电极与发射极之间并联保护电路，在IGBT的集电极电压高于保护电路的第一阈值电压时，保护电路可以吸收IGBT的集电极的高脉冲电压，将IGBT的集电极电压钳位在第二阈值电压，从而可以避免IGBT承受过高的电压而导致击穿损坏，进而可以提高电磁炉的电路安全性。

作为本实用新型实施例一种可选的实施方式，保护电路包括压敏电阻。

作为本实用新型实施例一种可选的实施方式，保护电路包括瞬变抑制二极管，瞬变抑制二极管的负极与IGBT的集电极连接，瞬变抑制二极管的正极与IGBT的发射极连接。

作为本实用新型实施例一种可选的实施方式，保护电路还包括滤波电容，滤波电容并联在IGBT的集电极与发射极之间。

通过在IGBT的集电极与发射极之间并联滤波电容，可以改善电磁炉的EMC。

作为本实用新型实施例一种可选的实施方式，滤波电容不超过10000pF。

通过采用不超过10000pF的滤波电容，可以防止IGBT等器件的温升过高。

作为本实用新型实施例一种可选的实施方式，第一阈值电压和第二阈值电压均大于IGBT的额定耐压值，并且小于IGBT的极限耐压值。

通过将第一阈值电压和第二阈值电压均设置为大于IGBT的额定耐压值，并且小于IGBT的极限耐压值，可以保证电磁炉的正常运行。