[实用新型]一种光伏焊带及光伏组件有效
申请号: | 201721569205.7 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN207852702U | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 周凯炜;顾晓庆;林文泽 | 申请(专利权)人: | 韩华新能源(启东)有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫;林传贵 |
地址: | 215221 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 铜基 光伏焊带 锡部 本实用新型 光伏组件 表面设置 反射效率 输出功率 压花结构 受热 带表面 镀锡层 焊带 有压 焊接 流出 | ||
本实用新型公开了一种光伏焊带,包括位于内侧的铜基带以及包裹所述铜基带的镀锡层,所述铜基带的表面设置有压花结构,所述铜基带上开设有卸锡部。本实用新型的一种光伏焊带,在铜基带上开设有卸锡部,在焊带焊接时,多余的锡受热后从卸锡部流出,使得铜基带表面的压花结构更加明显,从而提高对光的反射效率,提高光伏组件的输出功率。
技术领域
本实用新型属于光伏组件中焊带的制造技术领域,具体涉及一种光伏焊带及光伏组件。
背景技术
随着能源的不断消耗和能源价格的上涨,新能源的开发利用成为当今能源领域研究的主要课题。由于太阳能具有无污染、无地域性限制、取之不竭等优点,研究太阳能发电成为开发新能源的热门方向之一。现阶段中,利用太阳能电池发电是人们使用太阳能的一种主要方式。而随着光伏技术不断的发展,作为将太阳能转化为电能的半导体器件的光伏组件产品得到了快速的开发。
光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能转化为电能的一种技术,主要由光伏组件、控制器、逆变器组成,光伏组件是其中的核心单元。而光伏组件中的光伏焊带应用于光伏组件电池片之间的连接,发挥着导电聚点的作用。但是由于焊带的非透明性,照射到焊带表面的入射光会被反射至光伏组件外,导致这部分光线无法被电池片吸收,从而降低了电池片的效率,最终影响组件的输出功率。
为了降低这一部分的影响,光伏组件厂商开始尝试利用反光焊带替代普通焊带,常规反光焊带一般有两种形式:1)如中国专利号201510366155.1、专利名称为“反光焊带及太阳能组件”的发明专利所描述的,先在焊带铜基表面压延形成反射花纹,再通过铜基表面镀锡处理形成反光焊带,这种方式在实际操作中,由于镀锡层需要具有一定厚度来保证焊接强度,铜基带表面的反射花纹可能难以显现完全,影响最终的漫反射效果;2)如中国专利号201611201825.5、专利名称为“一种用于光伏组件焊带上的反光膜”的发明专利中所描述的,通过在焊带表面粘接一层反光膜,来实现漫反射效果,但是这种方式增加了材料和工序,进而增加了生产成本,而且会导致焊带整体的厚度增加,层压时可能会有碎片的风险。
发明内容
有鉴于此,为了克服现有技术的缺陷,本实用新型提供了一种光伏焊带,使铜基带上多余的锡在焊带焊接受热时能够从卸锡部流出,使得铜基带表面的压花结构更加明显,从而提高对光的反射效率,提高光伏组件的输出功率。
为了达到上述目的,本实用新型采用以下的技术方案:
一种光伏焊带,包括位于内侧的铜基带以及包裹所述铜基带的镀锡层,所述铜基带的表面设置有压花结构,所述铜基带上开设有卸锡部。
优选地,所述卸锡部为贯穿所述铜基带的通孔。
优选地,所述卸锡部为与所述压花结构的延伸方向相交的卸锡槽。
更加优选地,所述卸锡槽的延伸方向垂直于所述压花结构的延伸方向。
更加优选地,沿所述卸锡槽延伸方向的截面为中间高、两侧低的弧形。以使多余的锡在焊带焊接时更加方便地流出。
更加优选地,所述卸锡槽间隔分布于所述铜基带上。
进一步优选地,所述卸锡槽均匀间隔分布于所述铜基带上。
更加优选地,所述卸锡槽底面的最高点低于所述压花结构的最低点。
更加优选地,所述压花结构为锯齿状、连续设置的弧形或V形。
本实用新型还提供了一种光伏组件,包括如上所述的光伏焊带。
与现有技术相比,本实用新型的有益之处在于:本实用新型的一种光伏焊带,在铜基带上开设有卸锡部,在焊带焊接时,多余的锡受热后从卸锡部流出,使得铜基带表面的压花结构更加明显,从而提高对光的反射效率,提高光伏组件的输出功率。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩华新能源(启东)有限公司,未经韩华新能源(启东)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721569205.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的