[实用新型]一种发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201721569318.7 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN207818603U | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 谢春林 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子阻挡层 发光二极管芯片 孔洞 规则排布 衬底 多量子阱发光层 蚀刻 本实用新型 电流扩散层 发光层表面 发光效率 极化场强 向下延伸 有效释放 发光层 缓冲层 减小 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：
衬底；
以及，在所述衬底上依次形成的缓冲层、n型GaN层、发光层、电子阻挡层、p型GaN层和电流扩散层；
所述电子阻挡层上设有规则排布的孔洞，所述孔洞向下延伸至发光层表面。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光层为InGaN/GaN多量子阱层。
3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述电子阻挡层为AlGaN层。
4.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述孔洞的直径为0.3-3.0微米。
5.如权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于，相邻孔洞之间的间距为0.3-3.0微米。
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述缓冲层包括：
半导体成核层，所述半导体成核层设置在所述衬底上；以及
半导体本征层，所述半导体层本征层设置在所述半导体成核层以及所述n型GaN层之间。
7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，进一步包括：应力释放层，所述应力释放层设置在所述n型GaN层以及所述发光层之间，所述应力释放层为多周期的InGaN/GaN层。
8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述孔洞为圆形或多边形。
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