[实用新型]一种研磨盘结构及研磨装置

说明书

本实用新型提供一种研磨盘结构及研磨装置，所述研磨盘结构包括：上研磨盘，所述上研磨盘包括上研磨盘本体，及设于所述上研磨盘本体下方的至少一个定位柱；下研磨盘，所述下研磨盘包括下研磨盘本体，贯通所述下研磨盘本体、且与所述定位柱适配的第一通孔；及设于所述上研磨盘和所述下研磨盘之间的电磁体，所述电磁体包括电磁体本体，及贯通所述电磁体本体、且与所述定位柱适配的第二通孔。通过本实用新型提供的研磨盘结构及研磨装置，解决了现有研磨设备更换研磨垫时，花费时间较长的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种研磨盘结构及研磨装置。

背景技术

在半导体工艺流程中，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是非常重要的一道工序，有时也称之为化学机械平坦化。所谓化学机械抛光，它是采用化学与机械综合作用从半导体硅片上去除多余材料，并使其获得平坦表面的工艺过程。

化学机械研磨的主要设备一般包括：研磨盘、研磨垫(Pad)、研磨液供给器、及研磨头。研磨垫设置于研磨盘上，研磨头的下方设有待研磨晶圆，所述待研磨晶圆与研磨垫接触，研磨液供给器用于提供研磨液(Slurry)至研磨垫表面；研磨液以一定的速率流到研磨垫的表面，研磨头给待研磨晶圆施加一定的压力，使得待研磨晶圆的待研磨面与研磨垫产生机械接触，在研磨过程中，研磨头、及研磨盘分别以一定的速度旋转，通过机械和化学作用去除待研磨晶圆表面的薄膜，从而达到待研磨晶圆表面平坦化的目的。

在化学机械研磨过程中，由于研磨垫会逐渐损耗，故需要定期更换研磨垫；而现有更换研磨垫的方法一般分为去除旧的研磨垫，清洁研磨盘表面，及安装新的研磨垫3个步骤，需要花费一定的时间。

鉴于此，有必要设计一种新的研磨盘结构及研磨装置用以解决上述技术问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种研磨盘结构及研磨装置，解决了现有研磨设备更换研磨垫时，花费时间较长的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种研磨盘结构，所述研磨盘结构包括：

上研磨盘，所述上研磨盘包括上研磨盘本体，及设于所述上研磨盘本体下方的至少一个定位柱；

下研磨盘，所述下研磨盘包括下研磨盘本体，贯通所述下研磨盘本体、且与所述定位柱适配的第一通孔；及

设于所述上研磨盘和所述下研磨盘之间的电磁体，所述电磁体包括电磁体本体，及贯通所述电磁体本体、且与所述定位柱适配的第二通孔。

优选地，所述研磨盘结构还包括设于所述第一通孔下方的气缸，其中，所述气缸包括做往复直线运动的气缸。

优选地，所述气缸包括缸筒，及设于所述缸筒内的活塞杆，其中，所述缸筒内径大于所述第一通孔的直径。

优选地，所述定位柱的高度小于或等于所述电磁体与所述下研磨盘的厚度之和，所述活塞杆的直径小于或等于所述第一通孔的直径。

优选地，所述定位柱的高度大于所述电磁体与所述下研磨盘的厚度之和。

优选地，所述上研磨盘本体的厚度介于2mm～100mm。

优选地，所述研磨盘结构还包括设于所述上研磨盘上的一透明窗口。

本实用新型还提供了一种研磨装置，所述研磨装置包括如上述任一项所述的研磨盘结构，及设于所述上研磨盘表面的研磨垫。

如上所述，本实用新型的一种研磨盘结构及研磨装置，具有以下有益效果：本实用新型通过将研磨盘结构中的上研磨盘设置为可拆卸结构，实现在更换研磨垫时，直接更换上研磨盘，大大缩短了研磨垫的更换时间。

附图说明