[实用新型]一种用于化学气相沉积的晶片托架

说明书

本实用新型描述了一种用于化学气相沉积的晶片托架，晶片托架底部有环形凹槽，晶片托架可以处理单个晶片或者同时处理多个晶片。本实用新型同样描述了本实用新型的几个实施例和变型。本实用新型的优点包括更低的成本和部件更长的寿命，还有更好的温度控制。

技术领域

本实用新型涉及半导体外延沉积装置领域，具体为一种用于化学气相沉积的晶片托架。

背景技术

现有石墨盘的转轴定位孔采用圆边矩形的设计，故石墨盘若要放置到可旋转主轴上，需在放置前进行定位，且可旋转主轴需在放置前定位，可旋转主轴与石墨盘的转轴定位孔对准后才能放下。每次放盘需对准转轴和石墨盘，稍微的偏移会出现撞击，损坏石墨盘背面。

现有石墨盘的转轴定位孔与可旋转主轴接触面积较少，在相同摩擦系数下，提供的摩擦力较小，不利于石墨盘随可旋转主轴高速转动。

石墨盘在转动过程中，可旋转主轴与石墨盘转轴定位孔侧壁会发生碰撞，特别是急停时，石墨盘转轴定位孔就可能会因无缓冲而破损。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供一种用于化学气相沉积的反应器，至少包括：

用于承载晶片的晶片托架；

可旋转主轴；

对晶片托架加热的加热器；

晶片托架在装载位置和沉积位置之间进行迁移；

在沉积位置，晶片托架被可分离地安装在可旋转主轴的一端上；

晶片托架与可旋转主轴接触的底部有环形凹槽，与环形凹槽相对应的可旋转主轴的一端为环形凸起，用于与晶片托架的环形凹槽配合。

根据本实用新型，优选地，环形凹槽的外径直径为19~30mm。

根据本实用新型，优选地，环形凹槽的内径小于凹槽的外径，环形凹槽的内径直径为14~25mm。

根据本实用新型，优选地，晶片托盘底面为平坦表面，环形凹槽的深度为10~11.5mm。

根据本实用新型，优选地，环形凸起的突出部高度为10~11.5mm。

根据本实用新型，优选地，环形凹槽的槽内表面或环形凸起具有圆角，圆角的半径为0.1~0.5mm。

根据本实用新型，优选地，环形凹槽的槽内表面、环形凸起表面或者二者为粗化表面。

根据本实用新型，优选地，粗化表面的粗化度为1~20μm。

根据本实用新型，优选地，环形凸起的开口逐渐缩小。

根据本实用新型，优选地，环形凸起的开口角度为90°~120°。

根据本实用新型，优选地，晶片托架为石墨盘、钼盘或者碳化硅盘。

在一些实施例中，可旋转主轴在与晶片托架接触部分的下方区域具有加强筋。

根据本实用新型，优选地，晶片托架在沉积位置时，加强筋到晶片托架的距离为0~5mm。

根据本实用新型，优选地，加强筋为环形结构，其突出高度为1~10mm。

根据本实用新型，优选地，加强筋的厚度为1~5mm。

在一些实施例中，可旋转主轴具有2重以上的环形凸起。

根据本实用新型，优选地，环形凹槽的深度为5~8mm。

本实用新型的一种用于化学气相沉积的反应器的有益效果包括：