[实用新型]半导体封装结构有效
申请号: | 201721575732.9 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN207398138U | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 华良 | 申请(专利权)人: | 杭州友旺科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/31 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;范芳茗 |
地址: | 310053 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 | ||
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:
底板,包括芯片基岛,所述芯片基岛上设有第一芯片以及隔离基岛;
封装体,覆盖所述芯片基岛;以及
多个管脚,所述多个管脚包括:
第一管脚,与所述芯片基岛连接;
第二管脚,与所述第一芯片键合;以及
第三管脚至第N管脚,N为大于3的整数,与所述第一芯片或所述隔离基岛键合。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述隔离基岛上设有第二芯片,所述第三管脚至所述第N管脚中的至少部分与所述隔离基岛上的所述第二芯片键合。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一管脚、所述第二管脚以及所述第三管脚至所述第N管脚自一侧依次排列,所述第一管脚与所述第二管脚之间的距离大于所述第二管脚至所述第N管脚中相邻管脚之间的距离。
4.根据权利要求3所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第二管脚至所述第N管脚中相邻管脚之间的距离相同,所述第一管脚与所述第二管脚之间的距离为所述第二管脚至所述第N管脚中相邻管脚之间的距离的两倍。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一管脚为所述半导体封装结构的功率端管脚或高压端管脚。
6.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第二管脚至所述第N管脚中的每个包括:
键合区,用于与所述第一芯片或所述第二芯片键合;以及
暴露区,暴露于所述封装体外。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第二管脚至所述第N管脚中的至少一个的键合区的宽度大于其暴露区的宽度。
8.根据权利要求6所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第二管脚的键合区的宽度大于其暴露区的宽度,所述第二管脚为电流端管脚。
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第二管脚的键合区通过并联的键合导线与所述第一芯片相连。
10.根据权利要求2所述的半导体封装结构,其特征在于,所述第一芯片为功率芯片,所述第二芯片为控制芯片。
11.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述多个管脚依次错位排列。
12.根据权利要求11所述的半导体封装结构,其特征在于,所述多个管脚中的第奇数管脚位于第一平面,第偶数管脚位于与所述第一平面高度不同的第二平面。
13.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于,所述底板上还包括安装孔,所述安装孔暴露于所述封装体外。
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