[实用新型]微调激光器温度的结构有效
| 申请号： | 201721585040.2 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN207409796U | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 北京大族天成半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/024 | 分类号： | H01S5/024 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光器 波长锁定 工作波长 半导体激光器芯片 半导体激光器 波长一致性 波长准确度 调节激光器 激光器芯片 散热条件 散热通道 多管芯 微调 填充 芯片 筛选 制作 | ||
【权利要求书】：
1.微调激光器温度的结构，由半导体激光器芯片、热沉、过渡热沉、散热底板构成，其特征为，在过渡热沉或散热底板上激光器芯片的位置附近，有槽或洞结构，其中填充导热物质。
2.如权利要求1所述的微调激光器温度的结构，其特征为：散热底板和过渡热沉为金属、陶瓷，填充的导热物质是金属、陶瓷或者固化的导热胶。
3.如权利要求1所述的微调激光器温度的结构，其特征为：在坑、沟或洞内填充的导热物质，其安装位置可以调节。
4.如权利要求1所述的微调激光器温度的结构，其特征为：半导体激光器封装结构中可以有一只或多只激光器芯片。
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