[实用新型]一种磷化铟单晶生长炉有效
| 申请号： | 201721587711.9 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN207525375U | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 肖祥江;囤国超;吕春富;任洋;叶晓达;董汝昆;杨嗣文;梁鹏 | 申请（专利权）人： | 云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B11/00 |
| 代理公司： | 昆明祥和知识产权代理有限公司 53114 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市高新*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磷化铟单晶 炉膛 加热保温系统 生长炉 氮气 支撑系统 腔体 冷却循环水管 冷却循环系统 保温材料 电阻丝 生长 缠绕 制备技术领域 本实用新型 有效地控制 炉内压强 腔体顶端 外壳包裹 磷化铟 底端 下端 填充 灵活 支撑 保证 | ||
1.一种磷化铟单晶生长炉，其特征在于，该生长炉包括冷却循环系统、加热保温系统和支撑系统；所述冷却循环系统包括腔体（1）、氮气盖（2）和冷却循环水管（3），所述的腔体（1）为圆柱形中空结构，内部形成一个中空的腔室，腔体（1）顶端和底端均设置有氮气盖（2），腔体（1）外侧缠绕有冷却循环水管（3）；所述的加热保温系统和支撑系统均设置在所述的腔室内部，加热保温系统包括外壳（4）、保温材料（6）、电阻丝（7）和炉膛（5），外壳（4）包裹在炉膛（5）外侧，保温材料（6）填充在外壳（4）与炉膛（5）之间，电阻丝（7）缠绕在炉膛（5）外侧；加热保温系统下端设置有支撑系统。
2.根据权利要求1所述的一种磷化铟单晶生长炉，其特征在于所述氮气盖（2）中央均设置有氮气输送管道（8），氮气输送管道（8）通过氮气盖（2）伸入至腔体（1）内部。
3.根据权利要求1所述的一种磷化铟单晶生长炉，其特征在于所述的外壳(4)底部和腔体(1)底端的氮气盖（2）上设置有若干个加热电极（9），外壳（4）底部的加热电极（9）与设置在氮气盖（2）上的加热电极（9）上下相互对应，且之间连接有对接线(10)。
4.根据权利要求1所述的一种磷化铟单晶生长炉，其特征在于所述的外壳(4)两侧分别设置有4个测温热电偶(14)，测温热电偶(14)的测温端伸入至保温材料（6）内部，测温热电偶（14）距外壳（4）底端的高度分别为15～25cm、30～45cm 、40～65cm和60～80cm。
5.根据权利要求1所述的一种磷化铟单晶生长炉，其特征在于所述支撑系统由支撑板（12）和支撑脚（13）构成，支撑板（12）上设置有螺栓（11），支撑板（12）通过螺栓(11)固定在外壳（4）底端，支撑板（12）底部设置有支撑脚（13），支撑脚（13）支撑在腔体（1）底部的氮气盖（2）上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司，未经云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;昆明云锗高新技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721587711.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于冷坩埚制备高纯氧化铝多晶体的引晶除杂装置
- 下一篇：砷化镓多晶合成装置
