[实用新型]一种团簇离子束沉积基片架

说明书

本实用新型公开了一种团簇离子束沉积基片架，涉及夹具技术领域。基片架包括两个纵梁和两个横梁，纵梁和横梁互相垂直连接并形成矩形框架结构，两个纵梁之间以及两个横梁之间均设有至少一个支杆，支杆将框架结构所围成的区域分隔为放置独立基片的内部框架，横梁和纵梁的上表面靠近框架结构内侧均开设有长条形安装槽，支杆的两端底面与安装槽在形状上彼此互补，并可沿安装槽的长度方向滑动，相交的两个支杆中，位于上方的支杆的两端可拆卸地安装于安装槽上；每个支杆的中段均设有第一长槽孔，相交的两个支杆通过卡接件连接。本实用新型能够确保相交的支杆相互垂直，而且只需固定位于上方的支杆的两端，操作简单，提高更换基片架的效率。

技术领域

本实用新型涉及夹具技术领域，具体是涉及一种团簇离子束沉积基片架。

背景技术

团簇离子束技术(Cluster Ion Beam，CIB)广泛用于工件表面的掺杂、蚀刻、清洁、平滑以及薄膜沉积。团簇离子源通过电子轰击而离子化所产生的气体团簇是包括数个到数千个或更多的分子的聚集体，这些气体团簇的尺寸较大，通常为中性或者携带少量电荷，因此仅作用于极浅的表面区域，而不会产生较深的次表面损伤。采用团簇离子束对工件进行加工时，需要使用合适的基片架以固定工件，由于不同工件的形状和尺寸差别，针对不同的工件需要更换不同的基片架。现有的可调节基片架大都采用多个交叉设置的竖杆和横杆，竖杆和横杆围成用于放置单个基片的内框，横杆和竖杆两端的螺栓在外框上的长槽孔内移动到指定位置后固定连接。在移动竖杆和横杆以调节内部框架大小的过程中，横杆和竖杆需要分别固定，操作繁琐，导致更换基片架的时间长，效率低，而且竖杆和横杆很难保持相互垂直，使得内框大小存在差异，不利于固定机构对内框中的基片固定。

实用新型内容

针对现有技术中存在的缺陷，本实用新型的目的在于提供一种团簇离子束沉积基片架，能够确保相交的支杆相互垂直，而且只需固定位于上方的支杆的两端，操作简单，提高更换基片架的效率。

本实用新型提供一种团簇离子束沉积基片架，其包括两个纵梁和两个横梁，所述纵梁和横梁互相垂直连接并形成矩形框架结构，两个所述纵梁之间以及两个所述横梁之间均设有至少一个支杆，所述支杆将框架结构所围成的区域分隔为放置独立基片的内部框架，其中，

所述横梁和纵梁的上表面靠近框架结构内侧均开设有长条形安装槽，所述支杆的两端底面与所述安装槽在形状上彼此互补，并可沿所述安装槽的长度方向滑动，相交的两个支杆中，位于上方的所述支杆的两端可拆卸地安装于所述安装槽上；

每个所述支杆的中段均设有第一长槽孔，相交的两个所述支杆通过卡接件连接。

在上述技术方案的基础上，所述安装槽具有底面和侧面，所述底面与其所在的所述纵梁或横梁表面平行，所述侧面与底面之间的夹角α的范围为90≤α＜180。

在上述技术方案的基础上，相交的两个所述支杆中，与位于上方支杆两端互补的安装槽的底面设有第二长槽孔，所述支杆通过紧固件固定在所述第二长槽孔的任意位置。

在上述技术方案的基础上，所述卡接件包括固定板、一对第一卡接片和一对第二卡接片，每对卡接片互相平行的设置在所述固定板表面上，且第一卡接片和第二卡接片互相垂直设置，所述第一卡接片的宽度均小于所述第一长槽孔的宽度，一对第二卡接片卡接在位于上方的所述支杆的两侧；一对第一卡接片卡接在位于下方的所述支杆的两侧或者卡接在位于下方的所述支杆的第一长槽孔的内侧。

在上述技术方案的基础上，所述卡接件包括固定板和两个第三卡接片，两个所述第三卡接片互相平行地设置在所述固定板表面上，所述第三卡接片的自由端进一歩限缩形成第四卡接片，两个所述第三卡接片卡接在位于上方的所述支杆的两侧，两个所述第四卡接片穿过位于下方的所述支杆的第一长槽孔。

在上述技术方案的基础上，所述卡接片为弹性金属片。