[实用新型]一种PVT法生长大尺寸半绝缘碳化硅单晶的生长装置有效
| 申请号： | 201721589853.9 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN207608656U | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 左洪波;杨鑫宏;李铁;阎哲华 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨坩埚 抽真空装置 充气装置 加热线圈 半绝缘碳化硅单晶 本实用新型 生长装置 单晶 内腔 生长 电子控制系统 生长工艺参数 氩气 单晶生长 多层交替 均匀设置 内腔顶部 半绝缘 成品率 机械泵 可移动 真空计 蝶阀 高纯 铺粉 籽晶 承载 外围 优化 | ||
【权利要求书】：
1.一种PVT法生长大尺寸半绝缘碳化硅单晶的生长装置，其特征在于它包括石墨坩埚、加热线圈、抽真空装置和充气装置，抽真空装置和充气装置分别连接石墨坩埚内腔，连接处设置有蝶阀，加热线圈均匀设置在石墨坩埚外围，石墨坩埚内腔顶部设置有可移动的承载原料籽晶装置，充气装置连接氩气设备，加热线圈连接电子控制系统，抽真空装置包括机械泵和真空计，石墨坩埚内腔下方设置有多层交替均匀铺粉的C粉和Si颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种PVT法生长大尺寸半绝缘碳化硅单晶的生长装置，其特征在于所述的承载原料籽晶装置分别倾斜设置在石墨坩埚内腔顶部两侧，可沿石墨坩埚内腔垂直方向滑动，原料籽晶设置在承载原料籽晶装置上方。
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