[实用新型]一种涂胶腔室及匀胶显影机有效

专利信息
申请号: 201721590383.8 申请日: 2017-11-24
公开(公告)号: CN207502909U 公开(公告)日: 2018-06-15
发明(设计)人: 周坤 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: G03F7/16 分类号: G03F7/16;H01L21/67
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 俞涤炯
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 容置孔 腔室 涂胶 匀胶显影机 倾斜部 外腔室 静电吸盘 内腔室 垫圈 减小 垂直 半导体制造技术 本实用新型 工作功率 排气系统 球状缺陷 涂胶工序 排气泵 晶圆 内壁 内腔 贴合 生产成本 能耗 承载 室内 改造
【说明书】:

本实用新型公开了一种涂胶腔室及匀胶显影机,属于半导体制造技术领域,匀胶显影机包括用于承载待处理晶圆的静电吸盘,涂胶腔室包括:内腔室,包括第一顶部,第一顶部具有第一容置孔,静电吸盘设置于内腔室内;外腔室,套设于内腔室上,外腔室包括第二顶部,第二顶部具有与第一容置孔对应的第二容置孔;呈环状的垫圈,贴合第二顶部的内壁固定在外腔室上,垫圈包括与第一顶部相对的第一倾斜部和对应于第二容置孔的垂直部,第一倾斜部与垂直部之间通过一第二倾斜部连接。上述技术方案的有益效果是:对涂胶腔室进行改造,在解决球状缺陷的同时,减小排气泵的工作功率,降低涂胶工序中排气系统能耗,减小生产成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种涂胶腔室及匀胶显影机。

背景技术

在半导体制造过程中,一般的光刻工艺要经历晶圆表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序,其中涂胶工序是光刻工艺中重要的工序之一,晶圆表面涂胶的均匀程度以及厚度直接影响光刻效果。

涂胶工序是在一涂胶腔室内完成的,涂胶腔室内设置有用于承载晶圆的可旋转的静电吸盘,在静电吸盘的上方设置有光阻喷嘴,用于在晶圆表面涂覆光阻,在涂胶工序中,晶圆的边缘放置在涂胶腔室的排气通道内,排气通道连接一排气泵,排气通道和排气泵构成排气系统。在涂胶工序中,为使光阻在晶圆表面均匀分布,除了控制静电吸盘的转速之外还要通过排气系统抽走多余的光阻,若抽气不足,多余的光阻会在晶圆表面产生球状缺陷,影响光刻效果;另外,光阻薄雾会因抽气不足向外扩散,对匀胶显影机产生影响,导致设备需要频繁保养。

现有技术中,为避免出现上述缺陷,通常通过增加排气泵的功率来实现所需的抽气效果,排气系统的能耗高;针对不能达到要求的现有的排气泵,需要对其进行更换,提高了生产成本。

发明内容

根据现有技术中存在的上述问题,现提供一种涂胶腔室及匀胶显影机,通过对涂胶腔室进行改造,在解决球状缺陷的同时,减小排气泵的工作功率,旨在解决现有技术中,涂胶工序中排气系统能耗高,设备改造成本高的问题。本实用新型采用如下技术方案:

一种涂胶腔室,应用于匀胶显影机中,所述匀胶显影机包括用于承载待处理晶圆的静电吸盘,于所述静电吸盘的上方设置有光阻喷嘴,所述涂胶腔室包括:

内腔室,包括第一顶部,所述第一顶部具有第一容置孔,所述静电吸盘设置于所述内腔室内;

外腔室,套设于所述内腔室上,所述外腔室包括第二顶部,所述第二顶部具有与所述第一容置孔对应的第二容置孔;

所述静电吸盘通过所述第一容置孔伸入到所述外腔室内,待处理晶圆的边缘位于所述第一顶部和所述第二顶部形成的通道内;

呈环状的垫圈,贴合所述第二顶部的内壁固定在所述外腔室上,所述垫圈包括与所述第一顶部相对的第一倾斜部和对应于所述第二容置孔的垂直部,所述第一倾斜部与所述垂直部之间通过一第二倾斜部连接。

较佳的,上述涂胶腔室中,所述第二倾斜部与水平面呈45度夹角。

较佳的,上述涂胶腔室中,待处理晶圆的边缘与所述第二倾斜部之间的距离为8~13mm。

较佳的,上述涂胶腔室中,待处理晶圆的边缘与所述第二倾斜部之间的距离为10mm。

较佳的,上述涂胶腔室中,所述垫圈的厚度为10~15mm。

较佳的,上述涂胶腔室中,所述第二顶部的内壁与水平面呈20度夹角。

较佳的,上述涂胶腔室中,所述外腔室与所述内腔室于底部通过一环形底板封闭连接;

所述环形底板上对称设置有多个通孔;

多个所述通孔通过管道连接外部的排气泵。

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