[实用新型]半导体器件的互连线结构

说明书

本实用新型提供了一种半导体器件的互连线结构，介质层具有一凹槽，凹槽的侧壁和底壁之间的空隙夹角大于等于90°，金属互连线填充在凹槽中，金属互连线无空隙方式填满空隙夹角，避免了所形成的金属互连线侧处存在一定空洞的问题，提高了所形成的金属互连线及半导体器件的可靠性。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体器件的互连线结构。

背景技术

随着半导体技术的发展，超大规模集成电路的芯片集成度已经高达几亿乃至几十亿个器件的规模，两层以上的多层金属互连技术广泛得以使用。传统的金属互连是由铝金属制成的，但随着集成电路芯片中器件特征尺寸的不断减小，金属互连线中的电路密度不断增加，要求的响应时间不断减小，传统的铝互连线已经不能满足要求。工艺尺寸小于130nm以后，铜互连技术已经取代了铝互连技术。与铝相比，金属铜的电阻率更低，可以降低互连线的电阻电容(RC)延迟，改善电迁移，提高半导体器件的稳定性。

一般形成互连线是利用镶嵌工艺来进行，互连线会被填充在介质层的凹槽内。现有技术中，所形成的互连线侧处往往存在一定的空洞，从而降低了整个半导体器件的可靠性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体器件的互连线结构，以解决现有技术中所形成的互连线侧处存在一定空洞的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种半导体器件的互连线结构，包括：

一衬底；

一介质层，位于所述衬底上，所述介质层具有一凹槽，所述凹槽的侧壁和底壁之间的空隙夹角大于等于90°；及

一金属互连线，填充在所述凹槽中，所述金属互连线无空隙方式填满所述空隙夹角。

可选的，在所述的半导体器件的互连线结构中，所述金属互连线沿着所述凹槽的边界填满所述凹槽，所述金属互连线的侧壁与所述凹槽的侧壁贴合。

可选的，在所述的半导体器件的互连线结构中，所述凹槽中更形成一接触窗口，由附着在所述凹槽的侧壁上的一钝化薄膜构成，所述金属互连线沿着所述接触窗口的边界填满所述接触窗口，所述金属互连线的侧壁与所述接触窗口的侧壁贴合。

可选的，在所述的半导体器件的互连线结构中，所述金属互连线的材料包含铜，所述介质层的材料包含二氧化硅。

可选的，在所述的半导体器件的互连线结构中，所述衬底中形成有一金属插塞，所述金属互连线经由所述凹槽连接所述金属插塞。

可选的，在所述的半导体器件的互连线结构中，所述金属互连线包括铜籽晶层和覆盖所述铜籽晶层的铜电镀层，所述铜籽晶层在所述凹槽中的图案为连续，并且所述铜籽晶层在所述凹槽的侧壁向底部的弯折角小于等于90°。

在本实用新型提供的半导体器件的互连线结构中，介质层具有一凹槽，凹槽的侧壁和底壁之间的空隙夹角大于等于90°，金属互连线填充在凹槽中，金属互连线无空隙方式填满空隙夹角，避免了所形成的金属互连线侧处存在一定空洞的问题，提高了所形成的金属互连线及半导体器件的可靠性。

附图说明

图1是一种半导体器件的互连线制造方法中所提供的衬底的剖面示意图。

图2是对图1所示的结构执行图案化刻蚀工艺后的剖面示意图。

图3是在图2所示的结构上去除图案化刻蚀阻挡层后的剖面示意图。

图4是在图3所述的结构上形成金属互连线后的结构示意图。

图5是本实用新型实施例一的半导体器件的互连线制造方法中所提供的衬底的剖面示意图。

图6是对图5所示的结构执行图案化刻蚀工艺后的剖面示意图。