[实用新型]一种三余度的薄膜压力敏感元件

权利要求书

1.一种三余度的薄膜压力敏感元件，其特征在于：包括一个金属材料制帽形弹性体(1)，在弹性体(1)的表面镀有一层1.0～2.0微米厚的由SiO₂薄膜和Si₃N₄薄膜叠加构成的介质膜(2)，在介质膜(2)的表面通过离子束溅射沉积工艺镀有一层100～200纳米厚的应变合金膜(3)，在应变合金膜(3)的表面通过光刻工艺形成的应变电阻区，所述的应变电阻包括六对电阻，每两对电阻组成一个独立的惠斯通电桥，并形成一路输出信号，三个惠斯通电桥形成三路输出信号，在应变合金膜(3)的应变电阻区域上镀有100～200纳米厚的保护膜(4)，在保护膜(4)上位于应变合金膜(3)形成的应变电阻的端子区域镀有厚度为300～400纳米的镍膜(5)。

2.根据权利要求1所述的三余度的薄膜压力敏感元件，其特征在于：所述的保护膜(4)为离子束溅射沉积氮化硅薄膜，所述的镍膜(5)采用离子束溅射制备而成。

3.根据权利要求1所述的三余度的薄膜压力敏感元件，其特征在于：每一个惠斯顿电桥都是由四个应变电阻组成，四个应变电阻分别位于弹性体(1)受力后的表面应变区域内。