[实用新型]一种太阳能电池有效
| 申请号： | 201721613735.7 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN207425868U | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陆海川;龙巍;董刚强;郁操 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 周放;张应 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明导电层 氢化非晶氧化硅 太阳能电池 电池 光学透过性能 薄膜电导率 本实用新型 减反射效果 传统单层 短路电流 光电性能 退火工艺 转换效率 氢原子 宽带 薄膜 | ||
1.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括依次设置在单晶体硅一侧表面的非晶硅层、透明导电层，其特征在于，所述太阳能电池还包括设置在透明导电层上的氢化非晶氧化硅层、镶嵌在所述氢化非晶氧化硅层中的栅线电极，且所述栅线电极与所述透明导电层接触。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层厚度为60-100nm，且所述氢化非晶氧化硅层的厚度为100-130nm。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层厚度为120-180nm，且所述氢化非晶氧化硅层的厚度为100-130nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述非晶硅层包括依次设置的本征非晶硅层与n型非晶硅层，且所述本征非晶硅层设置在所述单晶体硅一侧表面。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括依次设置在单晶体硅另一侧表面的本征非晶硅层、p型非晶硅层、透明导电层、氢化非晶氧化硅层。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层为ITO薄膜层。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层的折射率为2.0，所述氢化非晶氧化硅层的折射率为1.4。
8.根据权利要求1-7任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述栅线电极的方块电阻为10～50Ω，厚度为50～80nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
