[实用新型]用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室

说明书

公开了用于基板处理腔室的工艺套件以及处理腔室。本文中描述的实施例大体涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：第一环，所述第一环具有顶表面和底表面；可调整调谐环，所述可调整调谐环具有顶表面和底表面；以及致动机构。底表面由基板支撑构件支撑。底表面至少部分地延伸到由基板支撑构件支撑的基板下方。可调整调谐环定位在第一环下方。可调整调谐环的顶表面与第一环限定可调整的间隙。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为更改限定在第一环的底表面与可调整调谐环的顶表面之间的可调整的间隙。

技术领域

本文中描述的实施例总体涉及一种基板处理设备，并且更具体地涉及一种用于基板处理设备的改进工艺套件。

背景技术

随着半导体技术节点进步使器件几何结构大小减小，基板边缘临界尺寸均匀性要求变得更加严格并且影响晶粒良率。商用等离子体反应器包括用于控制跨基板的工艺均匀性(例如，诸如温度、气流、RF功率等等)的多个可调谐的旋钮。通常，在蚀刻工艺中，硅基板在被静电夹紧到静电卡盘的同时被蚀刻。

在处理期间，被搁置在基板支撑件上的基板可能经历在基板上沉积材料并且将材料的部分从基板去除、或蚀刻掉(通常以连续工艺或交替工艺)的工艺。具有跨基板表面的均匀的沉积和蚀刻速率通常是有益的。然而，工艺不均匀性常常存在于基板表面上，并且可能在基板的周边或边缘处是显著的。这些在周边处的不均匀性可归因于电场终止影响，并且有时称为边缘效应。在沉积或蚀刻期间，有时提供含有至少沉积环的工艺套件以有利地影响在基板周边或边缘处的均匀性。

因此，持续需要一种用于基板处理设备的改进工艺套件。

实用新型内容

本文中描述的实施例总体上涉及一种基板处理设备。在一个实施例中，本文中公开了一种用于基板处理腔室的工艺套件。工艺套件包括：第一环；可调整调谐环；以及致动机构。第一环具有顶表面和底表面。底表面由基板支撑构件支撑。底表面至少部分地延伸到由基板支撑构件支撑的基板下方。可调整调谐环定位在第一环下方。可调整调谐环具有顶表面和底表面。可调整调谐环的顶表面与第一环限定可调整的间隙。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为更改限定在第一环的底表面与可调整调谐环的顶表面之间的可调整的间隙。

在另一实施例中，本文中公开了一种处理腔室。处理腔室包括基板支撑构件和工艺套件。基板支撑构件被配置为支撑基板。工艺套件由基板支撑构件支撑。工艺套件包括：第一环；可调整调谐环；以及致动机构。第一环具有顶表面和底表面。底表面由基板支撑构件支撑。底表面至少部分地延伸到由基板支撑构件支撑的基板下方。可调整调谐环定位在第一环下方。可调整调谐环具有顶表面和底表面。可调整调谐环的顶表面与第一环限定可调整的间隙。致动机构与可调整调谐环的底表面对接。致动机构被配置为更改限定在第一环的底表面与可调整调谐环的顶表面之间的可调整的间隙。

在另一实施例中，本文中公开了一种处理基板的方法。将基板定位在设置于基板处理腔室中的基板支撑构件上。在基板上方形成等离子体。通过致动可调整调谐环来调整可调整调谐环与边缘环之间的间距以改变在基板的边缘处的等离子体离子的方向。

附图说明

因此，为了详细理解本公开内容的上述特征所用方式，上文所简要概述的本公开内容的更具体的描述可以参考实施例进行，一些实施例示出在附图中。然而，应当注意，附图仅示出了本公开内容的典型实施例，并且因此不应视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其它等效实施例。

图1是根据一个实施例的处理腔室的截面图。

图2A是根据一个实施例的图1的处理腔室的放大局部截面图。

图2B是根据一个实施例的图1的处理腔室的放大局部截面图。

图3是根据一个实施例的图1的处理腔室的一部分的简化截面图，其描绘了两个电容路径。