[实用新型]一种声表面谐振器芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 201721633537.7 申请日: 2017-11-30
公开(公告)号: CN207977350U 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 张忠云;李善斌;张伟;张全军 申请(专利权)人: 深圳华远微电科技有限公司
主分类号: H01L41/04 分类号: H01L41/04;H01L41/053
代理公司: 广东深宏盾律师事务所 44364 代理人: 徐文涛;李立秋
地址: 518125 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 反射阵 等周期 换能器 声表面谐振器 芯片封装结构 左右两侧 管座 基板 芯片 本实用新型 芯片上表面 周期性分布 垂直设置 导通电极 电极连接 对称分布 封装结构 两侧设置 平行设置 芯片倒装 电极 溅射
【权利要求书】:

1.一种声表面谐振器芯片封装结构,包括芯片和基板,所述芯片上表面溅射等周期换能器和反射阵,其特征在于,所述等周期换能器两侧设置反射阵,所述反射阵包括设置在所述等周期换能器左右两侧的开反射阵,将左侧的开反射阵称作第一开反射阵,将右侧的开反射阵称作第二开反射阵,所述第一开反射阵和第二开反射阵在所述等周期换能器左右两侧对称分布;所述第一开反射阵和第二开反射阵构成的反射阵在y方向上平行设置、在x方向上垂直设置并且在x方向上周期性分布;

所述基板上具有两个管座电极,所述芯片倒装且芯片的两个导通电极分别与所述管座电极连接。

2.根据权利要求1所述的声表面谐振器芯片封装结构,其特征在于:所述导通电极和所述管座电极通过银料连接。

3.根据权利要求1所述的声表面谐振器芯片封装结构,其特征在于:所述第一开反射阵和第二开反射阵长度一致。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳华远微电科技有限公司,未经深圳华远微电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721633537.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top