[实用新型]磁场耦合元件、天线装置以及电子设备有效
申请号: | 201721633912.8 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN207765315U | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 三川贤太郎;石塚健一;那须贵文 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H01F38/14 | 分类号: | H01F38/14;H01F27/30;H02J50/12;H01Q1/36;H01Q1/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李逸雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导体图案 层间连接导体 磁场耦合 绝缘层 电子设备 天线装置 本实用新型 层间连接 线圈形成 层叠体 配置 | ||
1.一种磁场耦合元件,具有:
被配置于隔着绝缘层而层叠的多个层的多个导体图案;和
将所述多个导体图案的规定位置彼此层间连接的多个层间连接导体,
所述多个导体图案包含在所述层叠的方向的按顺序分别被配置于不同的层的第1导体图案、第2导体图案、第3导体图案以及第4导体图案,
所述多个层间连接导体包含:将所述第1导体图案与所述第2导体图案层间连接的第1层间连接导体、和将所述第3导体图案与所述第4导体图案层间连接的第2层间连接导体,
由所述第1导体图案、所述第2导体图案以及所述第1层间连接导体构成第1线圈,
由所述第3导体图案、所述第4导体图案以及所述第2层间连接导体构成第2线圈,
在所述层叠的方向,所述第1线圈以及所述第2线圈形成于小于由多个所述绝缘层构成的层叠体的层叠高度的1/3的区域。
2.根据权利要求1所述的磁场耦合元件,其中,
所述第2导体图案与所述第3导体图案的耦合方向、和所述第1层间连接导体与所述第2层间连接导体的耦合方向相同。
3.根据权利要求1所述的磁场耦合元件,其中,
所述第1层间连接导体与所述第2层间连接导体在所述绝缘层的俯视下重叠。
4.根据权利要求1至3的任一项所述的磁场耦合元件,其中,
所述第1层间连接导体与所述第2层间连接导体隔着所述多个绝缘层之中单一的绝缘层而被配置在所述层叠的方向。
5.根据权利要求1至3的任一项所述的磁场耦合元件,其中,
所述第1导体图案以及所述第4导体图案相比于所述第2导体图案以及所述第3导体图案,匝数较少。
6.根据权利要求1至3的任一项所述的磁场耦合元件,其中,
所述第2导体图案与所述第3导体图案的至少一个具有在所述层叠的方向相面对并局部形成电容的电容形成用导体图案。
7.根据权利要求6所述的磁场耦合元件,其中,
所述第2导体图案或者所述第3导体图案之中的一个导体图案具有达到所述绝缘层的端部的引出导体图案,另一个导体图案具有与所述引出导体图案对置的电容形成用导体图案。
8.根据权利要求1至3的任一项所述的磁场耦合元件,其中,
由多个所述绝缘层构成长方体状的层叠体,
所述磁场耦合元件具备:所述层叠体的第1面、和与该第1面相反的一侧的面即第2面,
与所述第1线圈的第1端连结的端子、与所述第1线圈的第2端连结的端子、与所述第2线圈的第1端连结的端子以及与所述第2线圈的第2端连结的端子分别形成于所述第1面以及所述第2面。
9.一种天线装置,具备:
权利要求1至8的任一项所述的磁场耦合元件;
与所述第1线圈的第1端连接的辐射元件;和
与所述第2线圈的第1端连接的无供电谐振电路,
所述第1线圈的第2端是供电电路连接部,
所述第2线圈的第2端与接地连接。
10.根据权利要求9所述的天线装置,其中,
从所述第1线圈的第2端向第1端的卷绕方向、和从所述第2线圈的第1端向第2端的卷绕方向相反。
11.根据权利要求9所述的天线装置,其中,
还具备被连接在所述供电电路连接部与所述第1线圈之间的具有频率依赖性的移相器。
12.根据权利要求9至11的任一项所述的天线装置,其中,
所述第2线圈的与连接所述无供电谐振电路的第1端子相反的一侧的第2端子连接于所述接地,
所述第1线圈与所述供电电路之间的线路的长度、以及所述第2线圈的所述第2端子与所述接地之间的线路的长度小于谐振频率的1/8波长。
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