[实用新型]基于SiC IGBT的数字化变极性焊接电源

权利要求书

1.一种基于SiC IGBT的数字化变极性焊接电源，其特征在于：包括主电路与控制电路；所述主电路包括依次连接的三相整流滤波电路、SiC IGBT一次逆变电路、高频变压器、SiC超高频整流滤波输出电路、SiC IGBT二次逆变电路和高压稳弧电路；其中，三相整流滤波电路与三相交流电源连接，高压稳弧电路与负载连接；

所述控制电路包括控制器和控制供电模块，以及分别与控制器信号连接的数字面板、SiC一次逆变驱动模块和SiC二次逆变驱动模块；所述数字面板、SiC一次逆变驱动模块和SiC二次逆变驱动模块分别与控制供电模块电连接；所述SiC一次逆变驱动模块还与SiCIGBT一次逆变电路连接；所述SiC二次逆变驱动模块还与SiC IGBT二次逆变电路连接。

2.根据权利要求1所述的基于SiC IGBT的数字化变极性焊接电源，其特征在于：所述三相整流滤波电路包括相连接的三相整流模块BR101和LC滤波模块；所述SiC IGBT一次逆变电路包括SiC IGBT模块TR101、SiC IGBT模块TR102和RC吸收保护电路；所述SiC超高频整流滤波输出电路包括SiC二极管D101、SiC二极管D102、SiC二极管D103、SiC二极管D104和滤波保护电路；SiC二极管D102和SiC二极管D104串联后并联到由SiC二极管D101和SiC二极管D103组成的串联电路上；所述SiC IGBT二次逆变电路包括SiCIGBT模块TR103、SiC IGBT模块TR104和RCD吸收保护电路；所述高压稳弧电路包括二极管D105、二极管D108、管型陶瓷电阻R117、输出滤波电感L102和高频耦合电感T102；

所述SiC IGBT模块TR101和SiC IGBT模块TR102分别并联到LC滤波模块上；高频变压器的初级分别与SiC IGBT模块TR101和SiC IGBT模块TR102连接，高频变压器的次级输出端一与SiC二极管D101和SiC二极管D103连接点连接，高频变压器的次级输出端三与SiC二极管D102和SiC二极管D104连接点连接；

SiC IGBT模块TR103和SiC IGBT模块TR104分别并联到由SiC二极管D101和SiC二极管D103组成的串联电路上；所述SiC IGBT模块TR103还通过依次连接的二极管D105、二极管D108、管型陶瓷电阻R117和输出滤波电感L102与高频耦合电感T102连接；高频变压器的次级输出端二与管型陶瓷电阻R117和输出滤波电感L102连接点连接；所述SiC IGBT模块TR103与负载的正极连接；高频耦合电感T102与负载的负极连接；管型陶瓷电阻R117和输出滤波电感L102连接点与负载的正极之间还连接有输出旁路滤波电路；

SiC IGBT模块TR101和SiC IGBT模块TR102分别与SiC一次逆变驱动模块连接；SiCIGBT模块TR103和SiC IGBT模块TR104分别与SiC二次逆变驱动模块连接。

3.根据权利要求1所述的基于SiC IGBT的数字化变极性焊接电源，其特征在于：所述SiC一次逆变驱动模块包括由电阻R201、电阻R202、P沟道功率场效应管M201和N沟道功率场效应管M202组成的推挽输出电路一，由电阻203、电阻R204、P沟道功率场效应管M203和N沟道功率场效应管204组成的推挽输出电路二，以及高频脉冲变压器T201、高频脉冲变压器T202和四路驱动信号产生电路。

4.根据权利要求1所述的基于SiC IGBT的数字化变极性焊接电源，其特征在于：所述SiC二次逆变驱动模块包括光耦U301、光耦U302、稳压二极管D301、稳压二极管D302、栅极驱动电阻R302、栅极驱动电阻R305，压敏电阻R303和压敏电阻R306。

5.根据权利要求1所述的基于SiC IGBT的数字化变极性焊接电源，其特征在于：所述控制供电模块包括依次连接的滤波浪涌限制单元、整流滤波单元、反激变换器和若干稳压模块，以及与反激变换器连接的驱动单元。